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      GB/T2423-電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)匯編

      2010年03月27日 10:31:24人氣:3198來(lái)源:上海覽浩儀器設(shè)備有限公司

      一、GB/T2423 有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成:

        1 GB/T 2423.1-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A: 低溫

        2 GB/T 2423.2-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B: 高溫
        
        3 GB/T 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法

        4 GB/T 2423.4-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Db: 交變濕熱試驗(yàn)方法

        5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則: 沖擊

        6 GB/T 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則: 碰撞

        7 GB/T 2423.7-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒 (主要用于設(shè)備型樣品)

        8 GB/T 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed: 自由跌落

        9 GB/T 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb: 設(shè)備用恒定濕熱

        10 GB/T 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則: 振動(dòng)(正弦)

        11 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求

        12 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性

        13 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng) 中再現(xiàn)性

        14 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng) 低再現(xiàn)性

        15 GB/T 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度

        16 GB/T 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則: 長(zhǎng)霉

        17 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ka: 鹽霧試驗(yàn)方法

        18 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧, 交變(氯化鈉溶液)

        19 GB/T 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc: 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法

        20 GB/T 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd: 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法

        21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) M: 低氣壓試驗(yàn)方法

        22 GB/T 2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N: 溫度變化

        23 GB/T 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)Q:密封

        24 GB/T 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa: 模擬地面上的太陽(yáng)輻射

        25 GB/T 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM: 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)

        26 GB/T 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM: 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)

        27 GB/T 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/ 低氣壓 /濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法

        28 GB/T 2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法

        29 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度

        30 GB/T 2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬

        31 GB/T 2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 傾斜和搖擺試驗(yàn)方法

        32 GB/T 2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法

        33 GB/T 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法

        34 GB/T 2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法

        35 GB/T 2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

        36 GB/T 2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

        37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) L: 砂塵試驗(yàn)方法

        38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn) R: 水試驗(yàn)方法

        39 GB/T 2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ee: 彈跳試驗(yàn)方法

        40 GB/T 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

        41 GB/T 2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 風(fēng)壓試驗(yàn)方法

        42 GB/T 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

        43 GB/T 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea) 、碰撞(Eb) 、振動(dòng)(Fc和Fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則

        44 GB/T 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg: 撞擊 彈簧錘

        45 GB/T 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABDM:氣候順序

        46 GB/T 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ef:撞擊 擺錘

        47 GB/T 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg: 聲振

        48 GB/T 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ff: 振動(dòng)--時(shí)間歷程法

        49 GB/T 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fe: 振動(dòng)--正弦拍頻法

        50 GB/T 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)

        51 GB/T 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke: 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

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