產(chǎn)品型號： FZ1600R17KF6C-B2

• 產(chǎn)品品牌： EUPEC/英飛凌
• 產(chǎn)品Tag：FZ1600R17KF6C-

供應(yīng)EUPEC/英飛凌FZ1600R17KF6C-B2 IGBT模塊
型號:FZ1600R17KF6C-B
廠家:EUPEC/英飛凌
電漢:1600A
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 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導體需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG（on）），IGBT導通，負輸出電壓為-5 …-8…-15V時，IGBT關(guān)斷。IGBT的動態(tài)性能可通過柵極電阻值來調(diào)節(jié)。柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。FZ1600R17KF6C-B2因此柵極電阻必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細地選擇和優(yōu)化。

    每個IGBT開關(guān)特性的設(shè)定可受外部電阻RG的影響。由于FZ1600R17KF6C-B2的輸入電容在開關(guān)期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過限制導通和關(guān)斷期間柵極電流（IG）脈沖的幅值來決定充放電多長時間（見圖1）。由于柵極峰值電流的增加，導通和關(guān)斷的時間將會縮短且開關(guān)損耗也將會減少。FZ1600R17KF6C-B2減小RG（on）和RG（off）的阻值會增大柵極峰值電流。當減小柵極電阻的阻值時，需要考慮的是當大電流被過快地切換時所產(chǎn)生的電流隨時間變化特性di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰。這一效果可在圖2所示的IGBT關(guān)斷時波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關(guān)斷損耗的相對值。集電極-發(fā)射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會損壞IGBT，特別是在短路關(guān)斷操作的情況下，因為di/dt比較大?？赏ㄟ^增加柵極電阻的值來減小Vstray。因此，消除了由于過電壓而帶來的IGBT被損毀的風險?？焖俚膶ê完P(guān)斷會分別帶來較高的dv/dt和di/dt，因此會產(chǎn)生更多的電磁干擾（EMI），從而可能導致電路故障。表1顯示不同的柵極電阻值對di/dt的影響。

圖1 導通、關(guān)斷/柵極電流

圖2 IGBT關(guān)斷