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國(guó)家法律強(qiáng)制規(guī)定，任何電子產(chǎn)品在進(jìn)入市場(chǎng)之前都要進(jìn)行電磁兼容測(cè)試，這是測(cè)量電子產(chǎn)品保證安全性能必須要做的測(cè)試。浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)是電子電器產(chǎn)品電磁兼容試驗(yàn)中的一個(gè)基本檢驗(yàn)項(xiàng)目,用于評(píng)價(jià)電子電氣設(shè)備在遭受浪涌(沖擊)時(shí)的性能。
電磁兼容領(lǐng)域所指的浪涌沖擊一般來(lái)源于開(kāi)關(guān)瞬態(tài)和雷擊瞬態(tài)。浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)是對(duì)電氣和電子設(shè)備的供電電源端口、信號(hào)和控制端口在受到浪涌(沖擊)干擾時(shí)的性能進(jìn)行評(píng)定。 在進(jìn)行浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)時(shí)需要使用雷擊浪涌發(fā)生器特性應(yīng)盡可能地模擬開(kāi)關(guān)瞬態(tài)和雷擊瞬態(tài)現(xiàn)象來(lái)評(píng)定設(shè)備在遭受到來(lái)自電力線(xiàn)和互連線(xiàn)上高能量浪涌(沖擊)騷擾時(shí)產(chǎn)品的性能。
試驗(yàn)發(fā)生器(雷擊浪涌發(fā)生器)
a)信號(hào)發(fā)生器特性應(yīng)盡可能地模擬開(kāi)關(guān)瞬態(tài)和雷擊瞬態(tài)現(xiàn)象；
b)如果干擾源與受試設(shè)備的端口在同一線(xiàn)路中，例如在電源網(wǎng)絡(luò)中(直接耦合)，那么信號(hào)發(fā)生器在受試設(shè)備的端口能夠模擬一個(gè)低阻抗源；
c)如果干擾源與受試設(shè)備的端口不在同一線(xiàn)路中(間接耦合)，那么信號(hào)發(fā)生器能夠模擬一個(gè)高阻抗源。
對(duì)于不同場(chǎng)合使用的產(chǎn)品及產(chǎn)品的不同端口，由于相應(yīng)的浪涌(沖擊)瞬態(tài)波形各不相同，因此對(duì)應(yīng)模擬信號(hào)發(fā)生器的參數(shù)也不相同。
如果浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)失敗怎么辦？
導(dǎo)致浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)失敗的原因
浪涌脈沖的上升時(shí)間較長(zhǎng)，脈寬較寬，不含有較高的頻率成分，因此對(duì)電路的干擾以傳導(dǎo)為主。主要體現(xiàn)在過(guò)高的差模電壓幅度導(dǎo)致輸入器件擊穿損壞，或者過(guò)高的共模電壓導(dǎo)致線(xiàn)路與地之間的絕緣層擊穿。由于器件擊穿后阻抗很低，浪涌發(fā)生器產(chǎn)生的很大的電流隨之使器件過(guò)熱發(fā)生損壞。對(duì)于有較大平滑電容的整流電路，過(guò)電流使器件損壞也可能是首先發(fā)生的。
例如，對(duì)開(kāi)關(guān)電源的高壓整流濾波電路而言，浪涌到來(lái)時(shí)，整流電路和平滑電容提供了很低的阻抗，浪涌發(fā)生器輸出的很大的電流流過(guò)整流二極管，當(dāng)整流二極管不能承受這個(gè)電流時(shí)，就發(fā)生過(guò)熱而燒毀。隨著電容的充電，電容上的電壓也會(huì)達(dá)到很高，有可能導(dǎo)致電容擊穿損壞。
通過(guò)浪涌抗擾度試驗(yàn)應(yīng)采取的措施
雷擊浪涌試驗(yàn)有共模和差模兩種。因此浪涌吸收器件的使用要考慮到與試驗(yàn)的對(duì)應(yīng)情況。為保證使用效果，浪涌吸收器件要用在進(jìn)線(xiàn)入口處。由于浪涌吸收過(guò)程中的di/dt特別大，在器件附近不能有信號(hào)線(xiàn)和電源線(xiàn)經(jīng)過(guò)，以防止因電磁耦合將干擾引入信號(hào)和電源線(xiàn)路。
此外，浪涌吸收器件的引腳要短；吸收器件的吸收容量要與浪涌電壓和電流的試驗(yàn)等級(jí)相匹配。
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