IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS（on）特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低的壓降，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖。

一、導(dǎo)通
IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒(méi)有增加這個(gè)部分）。其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件。基片的應(yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。
當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí)，一個(gè)N溝道形成，同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流，并*按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽(yáng)極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流。zui后的結(jié)果是，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流（MOSFET 電流）； 空穴電流（雙極）。
二、關(guān)斷
當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）。這種殘余電流值（尾流）的降低，*取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)洌瑢哟魏穸群蜏囟?。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問(wèn)題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問(wèn)題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問(wèn)題更加明顯。
鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的，尾流特性與VCE、 IC和 TC之間的關(guān)系如圖2所示。
三、反向阻斷
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)， J1 就會(huì)受到反向偏壓控制，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度，將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力，所以，這個(gè)機(jī)制十分重要。另一方面，如果過(guò)大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸，就會(huì)連續(xù)地提高壓降。
第二點(diǎn)清楚地說(shuō)明了NPT器件的壓降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的壓降高的原因。
四、正向阻斷
當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電子施加一個(gè)正電壓時(shí)，P/N J3結(jié)受反向電壓控制。此時(shí)，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。
五、閂鎖
IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，具體地說(shuō)，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。通常情況下，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：
當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí)，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。
只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū) 。
為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：
防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級(jí)別。
降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。
此外，閂鎖電流對(duì)PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極zui大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。
六、正向?qū)ㄌ匦?
在通態(tài)中，IGBT可以按照“*近似”和功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的PNP晶體管建模。圖3所示是理解器件在工作時(shí)的物理特性所需的結(jié)構(gòu)元件（寄生元件不考慮在內(nèi)）。
如圖所示，IC是VCE的一個(gè)函數(shù)（靜態(tài)特性），假如陰極和陽(yáng)極之間的壓降不超過(guò)0.7V，即使柵信號(hào)讓MOSFET溝道形成（如圖所示），集電極電流IC也無(wú)法流通。當(dāng)溝道上的電壓大于VGE -Vth 時(shí)，電流處于飽和狀態(tài)，輸出電阻無(wú)限大。由于IGBT結(jié)構(gòu)中含有一個(gè)雙極MOSFET和一個(gè)功率MOSFET，因此，它的溫度特性取決于在屬性上具有對(duì)比性的兩個(gè)器件的凈效率。功率MOSFET的溫度系數(shù)是正的，而雙極的溫度系數(shù)則是負(fù)的。本圖描述了VCE（sat） 作為一個(gè)集電極電流的函數(shù)在不同結(jié)溫時(shí)的變化情況。當(dāng)必須并聯(lián)兩個(gè)以上的設(shè)備時(shí)，這個(gè)問(wèn)題變得十分重要，而且只能按照對(duì)應(yīng)某一電流率的VCE（sat）選擇一個(gè)并聯(lián)設(shè)備來(lái)解決問(wèn)題。有時(shí)候，用一個(gè)NPT進(jìn)行簡(jiǎn)易并聯(lián)的效果是很好的，但是與一個(gè)電平和速度相同的PT器件相比，使用NPT會(huì)造成壓降增加。
七、動(dòng)態(tài)特性
動(dòng)態(tài)特性是指IGBT在開(kāi)關(guān)期間的特性。鑒于IGBT的等效電路，要控制這個(gè)器件，必須驅(qū)動(dòng)MOSFET 元件。
這就是說(shuō)，IGBT的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)際上應(yīng)與MOSFET的相同，而且復(fù)雜程度低于雙極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。如前文所述，當(dāng)通過(guò)柵極提供柵正偏壓時(shí)，在MOSFET部分形成一個(gè)N溝道。如果這一電子流產(chǎn)生的電壓處于0.7V范圍內(nèi)， P+ / N- 則處于正向偏壓控制，少數(shù)載流子注入N區(qū)，形成一個(gè)空穴雙極流。導(dǎo)通時(shí)間是驅(qū)動(dòng)電路的輸出陰抗和施加的柵極電壓的一個(gè)函數(shù)。通過(guò)改變柵電阻Rg （圖4）值來(lái)控制器件的速度是可行的，通過(guò)這種方式，輸出寄生電容Cge和 Cgc可實(shí)現(xiàn)不同的電荷速率。
換句話說(shuō)，通過(guò)改變 Rg值，可以改變與Rg （Cge+Cgc） 值相等的寄生凈值的時(shí)間常量（如圖4所示），然后，改變dV/dti。數(shù)據(jù)表中常用的驅(qū)動(dòng)電壓是15V。一個(gè)電感負(fù)載的開(kāi)關(guān)波形見(jiàn)圖5，di/dt是Rg的一個(gè)函數(shù)，如圖6所示，柵電阻對(duì)IGBT的導(dǎo)通速率的影響是很明顯的。
因?yàn)镽g數(shù)值變化也會(huì)影響dv/dt斜率，因此，Rg值對(duì)功耗的影響很大 。
在關(guān)斷時(shí)，再次出現(xiàn)了我們?cè)诰哂泄β蔒OSFET和 BJT 器件雙重特性的等效模型中討論過(guò)的特性。當(dāng)發(fā)送到柵極的信號(hào)降低到密勒效應(yīng)初始值時(shí)，VCE開(kāi)始升高。如前文所述，根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的情況，VCE達(dá)到zui大電平而且受到Cge和 Cgc的密勒效應(yīng)影響后，電流不會(huì)立即歸零，相反會(huì)出現(xiàn)一個(gè)典型的尾狀，其長(zhǎng)度取決于少數(shù)載流子的壽命。
在IGBT處于正偏壓期間，這些電荷被注入到N區(qū)，這是IGBT與MOSFET開(kāi)關(guān)對(duì)比zui不利特性之主要原因。降低這種有害現(xiàn)象有多種方式。例如，可以降低導(dǎo)通期間從P+基片注入的空穴數(shù)量的百分比，同時(shí)，通過(guò)提高摻雜質(zhì)水平和緩沖層厚度，來(lái)提高重組速度。由于VCE（sat） 增高和潛在的閂鎖問(wèn)題，這種排除空穴的做法會(huì)降低電流的處理能力。
八、安全運(yùn)行區(qū)SOA
按電流和電壓劃分，一個(gè)IGBT的安全運(yùn)行區(qū)可以分為三個(gè)主要區(qū)域，如下表所示：
這三個(gè)區(qū)域在圖8中很容易識(shí)別 。
通常每一張數(shù)據(jù)表都提供了正向?qū)ǎㄕ蚱冒踩\(yùn)行區(qū)FBSOA）、反向（反向偏置安全運(yùn)行區(qū)RBSOA）和短路（短路安全運(yùn)行SCSOA）時(shí)描述強(qiáng)度的曲線。
詳細(xì)內(nèi)容：
1、FBSOA
這部分安全運(yùn)行區(qū)是指電子和空穴電流在導(dǎo)通瞬態(tài)時(shí)流過(guò)的區(qū)域。在IC處于飽和狀態(tài)時(shí)，IGBT所能承受的zui大電壓是器件的物理極限，如圖8所示。
2、RBSOA
這個(gè)區(qū)域表示柵偏壓為零或負(fù)值但因空穴電流沒(méi)有消失而IC依然存在時(shí)的關(guān)斷瞬態(tài)。如前文所述，如果電流增加過(guò)多，寄生晶體管會(huì)引發(fā)閂鎖現(xiàn)象。當(dāng)閂鎖發(fā)生時(shí)，柵極將無(wú)法控制這個(gè)器件。版的IGBT沒(méi)有這種類型的特性，因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員改進(jìn)了IGBT的結(jié)構(gòu)及工藝，寄生SCR的觸發(fā)電流較正常工作承受的觸發(fā)電流（典型Ilatch>5 IC 正常）高出很多。關(guān)于閉鎖電流分別作為結(jié)溫和柵電阻的一個(gè)函數(shù)的變化情況，見(jiàn)圖9和10。
3、SCSOA
SCSOA是在電源電壓條件下接通器件后所測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電路控制被測(cè)試器件的時(shí)間zui大值。圖11所示是三個(gè)具有等效特性但采用不同技術(shù)制造的器件的波形及關(guān)斷時(shí)間 。
九、zui大工作頻率
開(kāi)關(guān)頻率是用戶選擇適合的IGBT時(shí)需考慮的一個(gè)重要的參數(shù)，所有的硅片制造商都為不同的開(kāi)關(guān)頻率專門制造了不同的產(chǎn)品。
特別是在電流流通并主要與VCE（sat）相關(guān)時(shí)，把導(dǎo)通損耗定義成功率損耗是可行的。
這三者之間的表達(dá)式：Pcond = VCE IC ，其中， 是負(fù)載系數(shù)。
開(kāi)關(guān)損耗與IGBT的換向有關(guān)系；但是，主要與工作時(shí)的總能量消耗Ets相關(guān)，并與終端設(shè)備的頻率的關(guān)系更加緊密。
Psw = Ets
總損耗是兩部分損耗之和：
Ptot = Pcond + Psw
在這一點(diǎn)上，總功耗顯然與Ets 和 VCE（sat）兩個(gè)主要參數(shù)有內(nèi)在的。
這些變量之間適度的平衡關(guān)系，與IGBT技術(shù)密切相關(guān)，并為客戶zui大限度降低終端設(shè)備的綜合散熱提供了選擇的機(jī)會(huì)。 因此，為zui大限度地降低功耗，根據(jù)終端設(shè)備的頻率，以及與特殊應(yīng)用有內(nèi)在的電平特性，用戶應(yīng)選擇不同的器件。