雙通道內(nèi)存技術(shù)，就是在北橋（又稱之為MCH）芯片組里制作有兩個(gè)可以相互獨(dú)立工作內(nèi)存控制器。CPU可以在這兩個(gè)內(nèi)存通道上，分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應(yīng)的增加一倍（理論上）。

目前流行的雙通道DDR內(nèi)存構(gòu)架是用兩個(gè)64位DDR內(nèi)存控制器構(gòu)筑而成的，其帶寬可以達(dá)到128位，但工作方式不同于單通道128位的內(nèi)存控制技術(shù)。因?yàn)殡p通道體系的兩個(gè)內(nèi)存控制器是獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，兩個(gè)內(nèi)存控制器能夠在彼此零等待時(shí)間的情況下同時(shí)運(yùn)作。例如：控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存時(shí)，控制器 A在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)特性可以將有效等待時(shí)間縮短50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻一番。

雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器功能上*一樣，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都可以單獨(dú)編程設(shè)定。這種靈活性允許用戶使用兩條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時(shí)雙通道DDR簡(jiǎn)單地調(diào)整到zui低密度，實(shí)現(xiàn)128位帶寬，允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內(nèi)存條共同工作。

簡(jiǎn)言之，雙通道技術(shù)是一種關(guān)系到主板芯片組的技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)，只要在北橋芯片內(nèi)部整合有兩個(gè)內(nèi)存控制器，就可以構(gòu)成雙通道DDR系統(tǒng)。用戶只需按照Channel 1和Channel 2成對(duì)插入內(nèi)存，即可實(shí)現(xiàn)該功能。如果只插單根內(nèi)存，或插入的內(nèi)存不匹配，則兩個(gè)內(nèi)存控制器僅有一個(gè)工作，就不能實(shí)現(xiàn)雙通道，仍按照通常的單通道方式工作。

雙通道內(nèi)存控制技術(shù)可以有效的提高內(nèi)存帶寬，特別是那些需要同內(nèi)存頻繁交換數(shù)據(jù)的軟件和整合有圖形核心（整合顯卡）的芯片組。在865G這樣整合顯卡的雙通道主板上，雙通道內(nèi)存控制技術(shù)所帶來的高帶寬，可以幫助整合顯卡在劃分主存做為顯存的時(shí)候，得到更高的數(shù)據(jù)帶寬，而顯存的數(shù)據(jù)帶寬正是制約顯卡性能的瓶頸。 　　

對(duì)于整合圖形核心的主板來說，其內(nèi)存不僅要與CPU頻繁變換數(shù)據(jù)，而且還將被主板上整合的圖形核心共享為顯存。這時(shí)，顯存也將頻繁地進(jìn)行數(shù)據(jù)變換，這對(duì)于有限的內(nèi)存帶寬來說，無疑是一種嚴(yán)峻的考驗(yàn)。

雙通道內(nèi)存控制技術(shù)是一種主板芯片組技術(shù)，只有支持雙通道內(nèi)存控制技術(shù)的芯片組才能構(gòu)架起雙通道內(nèi)存平臺(tái)，英特爾支持的芯片組有I850、 i875P、i7205、i865PE、i865G、SIS655、SIS655FX、VIA PT600（P4X600）、VIA PT800（P4X800）、VIA PT880等芯片組。

雙通道的優(yōu)點(diǎn)

（1）可以帶來2倍的內(nèi)存帶寬，需要與內(nèi)存數(shù)據(jù)進(jìn)行頻繁交換的軟件將得到極大的好處，如SPEC Viewperf、3DMAX、IBM Data Explorer、Lightscape等。

（2）板載顯卡共享內(nèi)存時(shí)，雙通道技術(shù)帶來的高內(nèi)存帶寬可以幫助顯卡在游戲中獲得更為流暢的速度。

雙通道的缺點(diǎn)

（1）必須構(gòu)架在支持雙通道的主板上，并且必須有兩條相同容量、相同類型的內(nèi)存條。英特爾的雙通道對(duì)于內(nèi)存類型和容量要求很高，兩根內(nèi)存條必須*一致。

（2）雙通道若連接不正確，只能做單通道使用。

NORCO-860VE P4/5級(jí)全長(zhǎng)CPU卡
------ 基于In 865PE芯片組
兩條184 pin 雙通道DDR內(nèi)存插槽，支持266/333/400MHz 雙通道DDR內(nèi)存，zui高達(dá)2GB