目前市場(chǎng)存在的超低損耗光纖，一般采用了純硅芯光纖，通過在包層摻氟降低包層的折射率，然而摻氟后的玻璃的黏度隨溫度變化很大。在高溫下，芯層與包層的黏度匹配，容易產(chǎn)生應(yīng)力，難以消除。因此部分廠商在制備超低損耗光纖時(shí)會(huì)在芯層添加堿金屬以降低芯層的黏度，使其光纖的芯層和包層的黏度在高溫下匹 配，但是，這類光纖的穩(wěn)定性還需要長(zhǎng)時(shí)間的證實(shí)。在理論上，成本頗高的超低損耗光纖無法滿足相同跨距下400G乃至超400G技術(shù)的應(yīng)用要求。烽火通信目 前研發(fā)的已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室試用的新型光纖-低損耗大有效面積抗彎光纖，從理論上可以滿足，而且成本不高。因此，超低損耗光纖不適合此時(shí)大規(guī)模商用。
低損耗光纖不改變光纖的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，*兼容G.652.D標(biāo)準(zhǔn)，其工藝主要是通過改善光纖內(nèi)部的應(yīng)力從而優(yōu)化瑞利散射來降低損耗，因此相比于普通G.652.D，具有更低的衰減性能，而且價(jià)格也與普通的G.652.D光纖相當(dāng)。具體衰減指標(biāo)如下表。
普通G652D光線與低損耗光纖對(duì)比
以每跨段對(duì)應(yīng)80km傳輸和開銷，對(duì)于典型跨段為16跨段×22dB的通信系統(tǒng)，采用相干QPSK的40G和100G技術(shù)時(shí)，系統(tǒng)的OSNR要求均在12.5dB或以內(nèi)。此時(shí)，保證光通信系統(tǒng)良好傳輸?shù)墓饫w衰減至少要小于0.2dB/km;當(dāng)所采用的光纖衰減低于該要求時(shí)，衰減越低，則越可以滿足系統(tǒng)要求，從而可充分享受光信噪比提升帶來的好處。因此表1所述的兩類光纖均可以滿足40G和100G的傳輸使用要求。
而單純從光纖的衰減角度分析，通過降低光纖的衰減提升光信噪比可帶來如下益處：從系統(tǒng)的角度考慮，相同傳輸距離下，低損耗光纖增加1.2dB系統(tǒng)余 量;系統(tǒng)余量相同的條件下，低損耗光纖可以延長(zhǎng)30%的傳輸距離。對(duì)于400G乃至1Tbps的超高速光纖通信系統(tǒng)而言，從理論計(jì)算來看，在相同跨距內(nèi)，在光纖衰減上的改善無法滿足400G乃至超400G技術(shù)的應(yīng)用要求。在同樣的光纖環(huán)境中，系統(tǒng)容量越高傳輸距離越短，400G的傳輸距離約為100G的 1/3，因此如果采用損耗更低、更可靠的光纖，可以減少未來擴(kuò)容時(shí)再生站的數(shù)量，對(duì)于400G的傳輸速率來說，相比普通單模光纖，低損耗光纖能減少約 20%的再生站數(shù)。