摘要：中芯集成電路制造有限公司攜手北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司推出中國(guó)*顆55納米智能卡芯片，該芯片采用中芯55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）平臺(tái)，具有尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供貨，其優(yōu)良性能得到客戶的廣泛認(rèn)可。
　　
　　中芯的55納米低功耗嵌入式閃存平臺(tái)，可為智能卡芯片客戶提供一個(gè)兼具高性能和低成本的解決方案。該平臺(tái)具有*的邏輯兼容性，所有1.2V邏輯庫(kù)IP皆可用于此嵌入式平臺(tái)；采用邏輯電壓更低的1.2V核心器件，可在zui大程度上降低芯片功耗，提升產(chǎn)品性能；后段采用銅制程，由于銅的電遷移性可造成電阻性的改良，使現(xiàn)有設(shè)計(jì)能夠采用較高的電流密度，造就更佳的性能與可靠性；芯片面積有大幅縮減，更小的尺寸使大型閃存應(yīng)用成為可能；隨著閃存單元的持續(xù)縮減，芯片面積將進(jìn)一步優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)成本效益。目前，該技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)產(chǎn)品可靠性測(cè)試，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)智能卡的應(yīng)用需求?；诖似脚_(tái)，華大電子成功地將中國(guó)*款基于55納米*工藝的智能卡芯片推向市場(chǎng)。
　　
　　“華大電子始終致力于對(duì)新技術(shù)和新應(yīng)用的探索，包括基于55納米工藝的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)，以及12英寸晶圓測(cè)試和減劃技術(shù)等，并將研究成果應(yīng)用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，快速實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品的上市。”華大電子總董浩然表示，“此次與中芯在55納米智能卡芯片方面的成功合作，進(jìn)一步鞏固了華大電子在國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域的，同時(shí)讓我們看到中芯在推動(dòng)*工藝發(fā)展方面所作的努力，其穩(wěn)定和完整的工藝平臺(tái)給我們留下了深刻的印象，相信通過(guò)我們共同的努力可以為客戶提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的產(chǎn)品。”
　　
　　“中芯一直專注于為客戶提供差異化產(chǎn)品和高品質(zhì)的制造服務(wù)，并憑借*的工藝技術(shù)提供高度整合的平臺(tái)及能的解決方案，以更好地滿足客戶需求。”中芯執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“華大電子是中國(guó)智能卡芯片技術(shù)的推動(dòng)者，我們很高興能夠成為其合作伙伴并幫助其推出的智能卡芯片產(chǎn)品。當(dāng)前中國(guó)智能卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，中芯將繼續(xù)深化與華大電子的合作，共同開(kāi)拓市場(chǎng)，以*的工藝平臺(tái)和完善的服務(wù)幫助客戶贏得更多的*。”