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通過消除IGBT固有的關(guān)斷拖尾電流特性,意法半導(dǎo)體的新器件提高了開關(guān)能效與zui大開關(guān)頻率。新產(chǎn)品的裸片非常薄,這有助于提高開關(guān)和散熱性能。意法半導(dǎo)體*的優(yōu)化的溝柵式(trench-gate)場截止型(field-stop)工藝降低了熱阻,zui高結(jié)溫高達(dá)175°C,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對飽和電壓等參數(shù)的嚴(yán)格控制,允許多個(gè)IGBT安全并聯(lián),提高電流密度和通態(tài)能效。
全新的IGBT非常穩(wěn)定,具有很高的Dv/dt耐壓能力。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復(fù)(soft-recovery)二極管可zui大限度降低導(dǎo)通能耗。針對成本更敏感的應(yīng)用,意法半導(dǎo)體還推出了可無二極管的型號供選擇。
意法半導(dǎo)體的20A至80AV系列IGBT現(xiàn)已投產(chǎn),采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。
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2025第十一屆中國國際機(jī)電產(chǎn)品交易會(huì) 暨先進(jìn)制造業(yè)博覽會(huì)
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