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2009 05-09: IGBT模塊工作原理及其注意事項(xiàng)

要：對IGBT的特性及使用時(shí)的注意事項(xiàng)進(jìn)行了探討，提出了選擇和安裝過程中應(yīng)該注意的方面。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的...

2009 05-09: 絕緣柵雙極晶體管IGBT工作原理

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）...

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