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      SMU數(shù)字源表搭建晶圓級微電子材料器件測試系統(tǒng)2024/12/24
      
					
      
				在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對微電子材料器件進(jìn)行高效率測試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過對半導(dǎo)體搞端測試裝備上下游產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合，晶圓級微電子材料器件測試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生!普賽斯數(shù)字源表SMU是整個測試系統(tǒng)的核心部分，用戶可以根據(jù)材料器件不同的電流、電壓，配置不同規(guī)格參數(shù)的源表和探針臺。更高效:靈活測試：體積小巧，節(jié)省實(shí)驗(yàn)臺空間接線簡單，無需繁
					
      
				
      
								
      
					
      SiC GaN三代半功率器件測試挑戰(zhàn)及應(yīng)對測試方案2024/11/20
      
					
      
				功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢，成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中，搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在運(yùn)行時會承受復(fù)雜的電-磁-熱-機(jī)械應(yīng)力，其電壓電流能力的提升，開關(guān)速度和功率密度的提升，對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。功率半導(dǎo)體器件在使用過程中可能會因?yàn)槎嘀匾蛩貙?dǎo)致失效，而這些不同因素所引
					
      
				
      
								
      
					
      smu數(shù)字源表與探針臺連接示意圖及注意事項有哪些？2024/10/30
      
					
      
				1、前言在半導(dǎo)體和集成電路工藝中，材料、晶圓、芯片的測試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體測試技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字源表SMU結(jié)合探針臺的系統(tǒng)組合已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于材料/微小器件的電學(xué)特性驗(yàn)證中。數(shù)字源表SMU具備源測功能，可以產(chǎn)生電流-電壓(I-V)特性曲線，是半導(dǎo)體材料、器件電性能表征測量的核心；探針臺有手動、半自動和全自動三種，根據(jù)測試需要選擇配套的產(chǎn)品即可。在選用時需要注意探針的材質(zhì)以及針尖的直徑與形狀，探針材質(zhì)不同，其阻抗也不相同；此外，探針尖磨損和污染也會對測試結(jié)果造成影響。在測試時，通過數(shù)字源表提
					
      
				
      
								
      
					
      脈沖電流源測試旁路二極管熱性能方案2024/09/13
      
					
      
				熱斑效應(yīng)：太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁路二極管：是指并聯(lián)于太陽能電池板正負(fù)極兩端之間的二極管，能夠有效地防止硅電池片因熱斑效應(yīng)而燒毀，是光伏太陽能組件的重要組成部分，旁路二極管的質(zhì)量直接影響著光伏電站的發(fā)電量及使用安全。熱性能測試旨在確定二極管的溫度特性以及其在連續(xù)工作條件下的最大結(jié)溫。測試時將組件加熱到之定溫度，并施加ISC或者1.2
					
      
				
      
								
      
					
      SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用發(fā)展及其測試解決方案2024/08/23
      
					
      
				SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。新能源汽車受800V驅(qū)動，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)蕞大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級600-1700V，功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為
					
      
				
      
								
      
					
      納米材料高溫原位表征及測試方案2024/08/15
      
					
      
				納米材料高溫原位表征及測試方案通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細(xì)熱場自動調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺內(nèi)對樣品構(gòu)建精細(xì)熱場自動調(diào)控及反饋測量系統(tǒng)，并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。測試面臨的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)的二線制電阻測量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的晶準(zhǔn)度。材料測試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA，測試設(shè)備需要具備小電流的測量能力。普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準(zhǔn)熱場控制及電性能測量:標(biāo)配四線制測量端
					
      
				
      
								
      
					
      基于數(shù)字源表的柔性材料形變測試方案2024/07/25
      
					
      
				柔性材料使用過程中形態(tài)的反復(fù)變化將影響材料的電學(xué)性能及壽命。形變測試是柔性材料性能表征的重要手段。測試面臨的挑戰(zhàn)依賴手動測試，缺乏標(biāo)準(zhǔn)化的測試系統(tǒng)缺少軟件,難以實(shí)時監(jiān)測I-V的變化曲線普賽斯提供標(biāo)準(zhǔn)化、高效率“動態(tài)’測試系統(tǒng)配備多種測試系統(tǒng)夾具可以模擬出拉、扭、彎、擇、卷等5種基本動作，11個基礎(chǔ)模擬測試動作;配套軟件，自動描繪材料的I-V的曲線。柔性材料形變測試SMU數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表武漢普賽斯是國內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場的考驗(yàn)，市
					
      
				
      
								
      
					
      數(shù)字源表測試導(dǎo)電水凝膠方案2024/07/22
      
					
      
				導(dǎo)電水凝膠將親水性基質(zhì)和導(dǎo)電介質(zhì)有機(jī)結(jié)合起來,是一類兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優(yōu)異電化學(xué)性能的新型復(fù)合水凝膠，是未來柔性電子器件的理想材料。水凝膠電導(dǎo)率測試常用四探針法進(jìn)行測試，優(yōu)勢在于分離電流和電壓電極，消除布線及探針接觸電阻的阻抗影響。對于離子型導(dǎo)電水凝膠，普賽斯P系列源表可提供最窄200us脈沖測試電壓或電流，消除因直流電場弓|起的離子聚集問題的影響。普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率
					
      
				
      
								
      
					
      SMU源表搭建半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實(shí)驗(yàn)平臺2024/05/29
      
					
      
				本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^實(shí)驗(yàn)動手操作，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸泴?shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三：MOS電容的CV特性測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)六：太陽能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測試平臺優(yōu)勢滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中
					
      
				
      
								
      
					
      如何用源表測試IC芯片電性能2024/05/13
      
					
      
				芯片測試作為芯片設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計目標(biāo)、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）及FVMI（加電壓測電流）。傳統(tǒng)的芯片電性能測試需要數(shù)臺儀表完成，如電壓源、電流源、萬用表等，然而由數(shù)臺儀表組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過程復(fù)雜又耗時，又占用過多測試臺的空間，而且使用單一功能的儀表
					
      
				
      
								
      
					
      功率半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)及應(yīng)對方案詳解2024/05/10
      
					
      
				功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲能、航空航天和君工等眾多領(lǐng)域。隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)
					
      
				
      
								
      
					
      如何用數(shù)字源表簡化apd的暗電流測試2024/03/15
      
					
      
				01APD工作原理APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應(yīng)和雪崩效應(yīng)，當(dāng)光子被吸收時，會產(chǎn)生電子空穴對，空穴向P區(qū)移動，電子向N區(qū)移動，由于電場的作用，電子與空穴相遇時會產(chǎn)生二次電子，形成雪崩效應(yīng)，從而使電荷載流子數(shù)目增加，電流增大，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。圖：APD工作原理02APD測試挑戰(zhàn)在APD的光電特性中，暗電流是一個重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測試的準(zhǔn)確性對于評估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行A
					
      
				
      
								
      
					
      數(shù)字源表iv掃描測試納米材料電性能2024/03/08
      
					
      
				01/納米材料電學(xué)性能的表征和分析/與傳統(tǒng)的材料相比，納米材料具有原子級厚度、表面平整無懸空鍵、載流子遷移率好等優(yōu)點(diǎn)，其導(dǎo)電性能很大程度依賴于材料本身的帶隙、摻雜濃度和載流子遷移率。同樣的摻雜濃度下，遷移率越大，電阻率越小，導(dǎo)電率就越高。在納米材料/器件電學(xué)性能的表征和分析中，通常采用霍爾效應(yīng)及電阻率測試法?；魻栃?yīng)測試當(dāng)電流垂直于外磁場通過納米材料時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生附加電場，從而在半導(dǎo)體兩端產(chǎn)生電勢差，這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)?；魻栃?yīng)測試常用的測試方法是范德堡法，并
					
      
				
      
								
      
					
      基于SMU數(shù)字源表的鈣鈦礦電池性能測試方案2024/01/24
      
					
      
				1前言“碳達(dá)峰、碳中和”背景下，發(fā)展新能源成為降低碳排放的第一驅(qū)動力。以太陽能為代表的清潔能源在市場上的占比大幅提升，與之對應(yīng)的太陽能電池同樣發(fā)展迅速。太陽能電池是一種吸收光能產(chǎn)生電能的半導(dǎo)體光電二極管，硅基電池作為第一代太陽能電池占據(jù)著市場主導(dǎo)地位；第二代太陽能電池為多元化薄膜電池，優(yōu)點(diǎn)在于轉(zhuǎn)化效率高、質(zhì)量小、厚度薄，但其研究原料的環(huán)境污染效應(yīng)頗具爭議；如今，以燃料敏化、量子點(diǎn)、鈣鈦礦為代表的第三代太陽能電池逐漸進(jìn)入人們視野。2光伏市場廣闊鈣鈦礦太陽能電池機(jī)遇蘊(yùn)于其中目前，全球已有60多個國家
					
      
				
      
								
      
					
      半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)—CV+IV測試儀2023/12/08
      
					
      
				半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)—CV+IV測試儀概述：SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計以及先進(jìn)工藝的開發(fā)，具有桌越的測量效率與可靠性?；谀K化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計，SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測試需要，靈活選配測量單元進(jìn)行升級。產(chǎn)品支持Z
					
      
				
      
								
      
					
      功率器件影響第三代SiC功率器件閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些？應(yīng)如何應(yīng)對？2023/11/20
      
					
      
				碳化硅（SiC）之所以被電動車大量采用，因具有“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個特性，相較硅基半導(dǎo)體更適合車用。從硅基（Si）到碳化硅（SiC）MOS的技術(shù)發(fā)展與進(jìn)步進(jìn)程來看，面臨的最大挑戰(zhàn)是解決產(chǎn)品可靠性問題，而在諸多可靠性問題中尤以器件閾值電壓（Vth）的漂移最為關(guān)鍵，是近年來眾多科研工作關(guān)注的焦點(diǎn)，也是評價各家SiCMOSFET產(chǎn)品技術(shù)可靠性水平的核心參數(shù)。由于SiCMOSFET與SiMOSFET特性的不同，SiCMOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯
					
      
				
      
								
      
					
      為何稱呼為源表？源表是如何四象限工作的？2023/11/20
      
					
      
				為何稱呼為源表？“源”為電壓源和電流源，“表”為測量表；“源表”即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時可同步測量電流值或電壓值的測量儀表。（恒流源時測電壓，恒壓源時測電流）數(shù)字源表功能：①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身，廣泛用于各類精密器件的測量。②四象限工作，可作為源或負(fù)載四象限工作，可以作為源或負(fù)載電源象限是指以電源輸出電壓為X軸、輸出電流為Y軸形成的象限圖。第一、三象限即電壓電流同向，源表對其它設(shè)備供電，稱為源模式；第二、四象限即電壓電流反
					
      
				
      
								
      
					
      為什么選擇S系列數(shù)字源表?國產(chǎn)源表有哪些優(yōu)勢？2023/11/20
      
					
      
				為什么選擇S系列數(shù)字源表?性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測量精度0.03%。靈活多樣-支持兩線制和四線制測量，更準(zhǔn)確的低內(nèi)阻量測;集成線性階梯掃描、對數(shù)階梯掃描、自定義掃描等模式;專業(yè)l-V特性及半導(dǎo)體參數(shù)測試軟件。易學(xué)實(shí)用-簡化了如I-V和l-t/V-t曲線等各種應(yīng)用的測量準(zhǔn)備工作。電容式觸摸屏圖形用戶界面(GUI),提供圖形化和數(shù)字化兩種測量結(jié)果
					
      
				
      
								
      
					
      霍爾電流傳感器的動靜態(tài)參數(shù)如何測試？2023/11/13
      
					
      
				霍爾電流傳感器廣泛應(yīng)用于航空航天、電源監(jiān)測、飛行器狀態(tài)監(jiān)測、變速驅(qū)動設(shè)備、焊接設(shè)備供電電源、新能源汽車蓄電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，在電流檢測領(lǐng)域中有著重要地位和實(shí)用價值，在電驅(qū)系統(tǒng)中被稱為新能源汽車的動力“心臟”。因此，霍爾電流傳感器的可靠性決定著電驅(qū)系統(tǒng)的技術(shù)水平。圖1:電流傳感器在新能源汽車中的應(yīng)用隨著科技的發(fā)展和進(jìn)步，以及半導(dǎo)體技術(shù)和制備工藝的升級迭代，大功率半導(dǎo)體元件的發(fā)展極為迅速，廣泛應(yīng)用于電流監(jiān)測、變頻控制測試、交直流電源、電源逆變器和電子開關(guān)等領(lǐng)域。對于霍爾電流傳感器而言，未來將往更大的
					
      
				
      
								
      
					
      GaN  HEMT器件主要性能測試指標(biāo)有哪些？如何測試？2023/07/04
      
					
      
				01氮化鎵的發(fā)展與前景5G、6G、衛(wèi)星通信、微波雷達(dá)將帶來半導(dǎo)體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的射頻器件。與Si基半導(dǎo)體相比，作為第三代半導(dǎo)體的代表，GaN具有更高電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場的優(yōu)勢將逐步凸顯。正是這一優(yōu)勢，以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料和器件因優(yōu)良的高溫高壓及高頻特性，被認(rèn)為是電力電子和微波射頻技術(shù)的核心。隨著GaN技術(shù)的日趨成熟，國外開始將GaN功率器件向太空應(yīng)用擴(kuò)展，充分發(fā)揮寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的GaN器件的固有優(yōu)勢，制成
					
      
				
      
							
				
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