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      數(shù)字源表iv掃描測(cè)試納米材料電性能

      2024年03月08日 14:55:13人氣:535來源:武漢普賽斯儀表有限公司


      01




      /納米材料電學(xué)性能的表征和分析/


              與傳統(tǒng)的材料相比,納米材料具有原子級(jí)厚度、表面平整無懸空鍵、載流子遷移率好等優(yōu)點(diǎn),其導(dǎo)電性能很大程度依賴于材料本身的帶隙、摻雜濃度和載流子遷移率。同樣的摻雜濃度下,遷移率越大,電阻率越小,導(dǎo)電率就越高。在納米材料/器件電學(xué)性能的表征和分析中,通常采用霍爾效應(yīng)及電阻率測(cè)試法。


      霍爾效應(yīng)測(cè)試

              當(dāng)電流垂直于外磁場通過納米材料時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場的方向會(huì)產(chǎn)生附加電場,從而在半導(dǎo)體兩端產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)?;魻栃?yīng)測(cè)試常用的測(cè)試方法是范德堡法,并在測(cè)試時(shí)外加磁場。


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      圖:霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)








      電阻率測(cè)試

              二維納米材料(如石墨烯)電阻率測(cè)試是重要的測(cè)試項(xiàng)目,測(cè)試方法主要為四探針法與范德堡法。

              對(duì)于規(guī)則圓形的材料樣品,電阻率測(cè)試比較方便的方法是四探針法,四探針法優(yōu)勢(shì)在于分離電流和電壓電極,消除布線及探針接觸電阻的阻抗影響。范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù),對(duì)樣品形狀沒有要求,且不需要測(cè)量樣品所有尺寸。


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      圖:四探針法測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)


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      圖:范德堡法測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)



              此外,由于納米材料具有D的物理、化學(xué)和生物學(xué)性質(zhì),在制備過程中納米粒子的大小、形狀和結(jié)構(gòu)很難控制,且納米材料的性質(zhì)受表面效應(yīng)、尺寸效應(yīng)和缺陷效應(yīng)等因素的影響,使其制備和性質(zhì)研究面臨巨大挑戰(zhàn)。


      Science Technology

      02




      /納米材料高溫原位表征技術(shù)/

              原位表征技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了科研人員對(duì)納米材料的認(rèn)識(shí),使得納米材料的性能研究實(shí)現(xiàn)飛躍性突破。其中原位透射電子顯微分析法(TEM)是實(shí)時(shí)監(jiān)控與記錄位于電鏡內(nèi)的試樣對(duì)不同外界激勵(lì)信號(hào)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)的一種手段,有助于加速納米材料的開發(fā)和應(yīng)用。


              高溫原位表征系統(tǒng)基于高精度數(shù)字源表,控制MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng),并結(jié)合透射電子顯微鏡(TEM)研究材料在不同熱場條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息,是納米材料結(jié)構(gòu)表征科學(xué)最新穎、最有發(fā)展空間的表征技術(shù)之一。


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      圖:原位TEM電性能表征

      注:圖片來源于“Phase and polarization modulation in two-dimensional In2Se3 via in situ transmission electron microscopy”

      03




      /納米材料的典型應(yīng)用及電性能

      測(cè)試方案/

              目前,納米材料的應(yīng)用主要集中在電子信息、生物材料、能源等領(lǐng)域,其中在新型電子器件的設(shè)計(jì)和制造上取得很大突破,如納米晶體管、納米傳感器、納米光電子器件等。通過在納米尺度上控制和操縱電子器件和材料的性質(zhì),使得器件具有更小的尺寸、更低的功耗以及更快的響應(yīng)速度,未來在電子信息及其他科技領(lǐng)域上將會(huì)衍生更大的價(jià)值。因此,針對(duì)納米材料的不同應(yīng)用,采用有效的技術(shù)方法和手段對(duì)納米材料/器件的性能進(jìn)行深入研究至關(guān)重要。

      納米電極材料應(yīng)用及測(cè)試表征

      碳納米管具有優(yōu)異的機(jī)械性能和電化學(xué)性能,一直在各領(lǐng)域備受關(guān)注。在鋰電池的應(yīng)用中,碳納米管作為電極時(shí),其D的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不僅能夠有效地連接更多的活性物質(zhì),出色的電導(dǎo)率也可以大幅降低阻抗。電導(dǎo)率及循環(huán)伏安法是表征電極材料電性能的重要手段,循環(huán)伏安法測(cè)試過程中,使用較多的是三電極系統(tǒng)和兩電極體系。

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      圖:循環(huán)伏安法測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)


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      圖:循環(huán)伏安法測(cè)試曲線

      雙極板(BPP)材料應(yīng)用及測(cè)試表征

      質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)是一種使用氫氣和氧氣作為燃料的電池,通過化學(xué)反應(yīng)生成水,并產(chǎn)生電能。雙極板(Bipolar plate,以下簡稱BP)是燃料電池的一種核心零部件,主要作用為支撐MEA,提供氫氣、氧氣和冷卻液流體通道并分隔氫氣和氧氣、收集電子、傳導(dǎo)熱量,常見的材料有石墨、復(fù)合材料和金屬。作為核心部件,體電阻率測(cè)試是雙極板材料性能的重要表征技術(shù)之一。

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      圖:體電阻率測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

      納米壓敏陶瓷材料應(yīng)用及電性能測(cè)試表征

      壓敏電阻又稱變阻器、變阻體或突波吸收器,其電阻會(huì)隨外部電壓而改變,因此它的電流-電壓特性曲線具有顯著的非線性:

      - 在閾值電壓以下,壓敏電阻的阻值很高,相當(dāng)于開路;

      - 超過閾值電壓后,壓敏電阻的阻值大大降低,吸收瞬間的能量。


      壓敏電阻的電學(xué)特性主要包括壓敏電壓、漏電流封裝耐壓、響應(yīng)度等方面。由于器件本身耐壓高,測(cè)試需要高壓,同時(shí)需要納安級(jí)小電流測(cè)量能力,推薦使用普賽斯P系列脈沖源表或E系列高電壓源測(cè)單元,P系列脈沖源表具備300V高壓,小電流低至1pA;E系列高壓源測(cè)單元最大電壓高達(dá)3500V、最小電流低至1nA。

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      圖:P系列高精度臺(tái)式脈沖源表

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      圖:E系列高電壓源測(cè)單元

      納米發(fā)電材料應(yīng)用及測(cè)試表征

      納米發(fā)電機(jī)是基于規(guī)則的氧化納米線,在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能、熱能等轉(zhuǎn)化為電能,是市界上最小的發(fā)電機(jī)。目前主要包括:摩擦納米發(fā)電機(jī)、壓電納米發(fā)電機(jī)、熱釋電納米發(fā)電機(jī)、靜電納米發(fā)電機(jī)以及溫差發(fā)電機(jī)等。


      由于納米發(fā)電自身的技術(shù)原因,在測(cè)試時(shí)具有電流信號(hào)微弱(低至μA甚至納安級(jí));內(nèi)阻大,開路電壓很難測(cè)準(zhǔn);信號(hào)變化快,難以捕獲電壓或電流峰值等特點(diǎn)。推薦使用普賽斯S系列直流源表、P系列脈沖源表或CS系列插卡式多通道源表,搭配上位機(jī)軟件,可實(shí)現(xiàn)納米發(fā)電材料輸出電壓以及輸出電流隨時(shí)間變化的曲線:V-t、I-t等,適用于摩擦發(fā)電、水伏發(fā)電、溫差發(fā)電等納米發(fā)電研究領(lǐng)域。

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      圖:納米水伏發(fā)電測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)


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      圖:納米溫差發(fā)電測(cè)試系統(tǒng)架構(gòu)

      有機(jī)場效應(yīng)晶體管應(yīng)用及測(cè)試表征

      有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)是一種利用有機(jī)半導(dǎo)體組成的場效應(yīng)晶體管。一般由柵極、絕緣層、有機(jī)有源層、源/漏電極構(gòu)成。主要性能指標(biāo)有遷移率、開關(guān)電流比、閾值電壓三個(gè)參數(shù),通常用輸出特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線來表征。推薦使用普賽斯SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀來進(jìn)行I-V測(cè)試以及C-V測(cè)試,可以用來獲取器件的輸出轉(zhuǎn)移特性、柵極漏電流、漏源擊穿電壓等參數(shù);C-V測(cè)試可以確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N以及固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

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      圖:SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀



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