電子電工產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)匯編
　　一、GB/T2423 有以下51個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成：
　　1 GB/T 2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A: 低溫
　　2 GB/T 2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B: 高溫
　　3 GB/T 2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
　　4 GB/T 2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Db: 交變濕熱試驗(yàn)方法
　　5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊
　　6 GB/T 2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則： 碰撞
　　7 GB/T 2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則: 傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
　　8 GB/T 2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed: 自由跌落
　　9 GB/T 2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb: 設(shè)備用恒定濕熱
　　10 GB/T 2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則: 振動（正弦）
　　11 GB/T 2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求
　　12 GB/T 2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性
　　13 GB/T 2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性
　　14 GB/T 2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性
　　15 GB/T 2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度
　　16 GB/T 2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長霉
　　17 GB/T 2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ka: 鹽霧試驗(yàn)方法
　　18 GB/T 2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)--試驗(yàn)Kb:鹽霧, 交變（氯化鈉溶液）
　　19 GB/T 2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
　　20 GB/T 2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
  　21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M: 低氣壓試驗(yàn)方法
　　22 GB/T 2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N: 溫度變化
　　23 GB/T 2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封
　　24 GB/T 2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa: 模擬地面上的太陽輻射
　　25 GB/T 2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM: 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
　　26 GB/T 2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM: 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)
　　27 GB/T 2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/ 低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
　　28 GB/T 2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法
　　29 GB/T 2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
　　30 GB/T 2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
　　31 GB/T 2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
　　32 GB/T 2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
　　33 GB/T 2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
　　34 GB/T 2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
　　35 GB/T 2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AFc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
　　36 GB/T 2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
  　37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)L: 砂塵試驗(yàn)方法
　　38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)R: 水試驗(yàn)方法
　　39 GB/T 2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ee: 彈跳試驗(yàn)方法
　　40 GB/T 2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
　　41 GB/T 2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法
　　42 GB/T 2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
　　43 GB/T 2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（Ea）、碰撞（Eb） 、振動（Fc和Fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（Ca）等動力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
　　44 GB/T 2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg: 撞擊 彈簧錘
　　45 GB/T 2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABDM：氣候順序
　　46 GB/T 2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ef：撞擊 擺錘
　　47 GB/T 2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg: 聲振
　　48 GB/T 2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ff: 振動--時(shí)間歷程法
　　49 GB/T 2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fe: 振動--正弦拍頻法
　　50 GB/T 2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
　　51 GB/T 2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke: 流動混合氣體腐蝕試驗(yàn)
　　二、GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則
　　三、GB/T2422-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)術(shù)語
　　四、GB2424
　　1.GB2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　2.GB/T2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
　　3.GB/T2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程長霉試驗(yàn)導(dǎo)則
　　4.GB/T2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
　　5.GB/T2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　6.GB/T2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　7.GB/T2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
　　8.GB/T2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分 ：試驗(yàn)方法 太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則
　　9.GB/T2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
　　10.GB/T2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
　　11.GB/T2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則
　　12.GB/T2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
　　13.GB/T2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
　　14.GB/T2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
　　15.GB/T2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）和振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
　　16.GB/T2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程水試驗(yàn)導(dǎo)則
　　17.GB/T2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則。