關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  太陽能  變頻器 

就整體市場來看，由于MOSFET芯片的產(chǎn)能和封裝能力皆無法滿足需求，尤其是能夠滿足高質(zhì)量要求的MOSFET封裝形式（主要是TO-220和TO-3P）的產(chǎn)能不足，于是便造成目前市場出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。欲改善目前情況，一方面需要擴(kuò)產(chǎn)，另一方面則需要提升封測水平，預(yù)計此波調(diào)整將持續(xù)至2011年底。

 

影響所及，MOSFET產(chǎn)品的報價從今年年初以來便一直面臨調(diào)漲壓力。相關(guān)業(yè)者便指出，目前MOSFET市場供給面仍持續(xù)呈現(xiàn)吃緊態(tài)勢，因此部份品項(xiàng)的急單也已出現(xiàn)調(diào)漲情況，且順利獲得客戶端的正面反應(yīng)，預(yù)期第三季在旺季效應(yīng)的助長下，MOSFET供需仍將趨緊，產(chǎn)品報價甚至有進(jìn)一步調(diào)漲的可能。不過，隨著國內(nèi)外業(yè)者均有新增產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此整體出貨量還是會隨著產(chǎn)出增加而成長，預(yù)期整體供需至第四季時，供需即可望逐步獲得舒緩。

 

 

杭州士蘭微電子器件事業(yè)部總湯學(xué)民

 

杭州士蘭微電子器件事業(yè)部總湯學(xué)民亦發(fā)表對于MOSFET的價格的看法，他指出，由于MOSFET將繼續(xù)保持高增長率，而其生產(chǎn)能力的擴(kuò)充將會有一個過程，所以性價比較高的MOSFET產(chǎn)品近期不會出現(xiàn)大幅的降價，在一些增長特別快的領(lǐng)域中，個別規(guī)格的產(chǎn)品則可能會由于供貨的緊張而出現(xiàn)短時的漲價現(xiàn)象。

 

至于英飛凌科技（中國）多元化電子市場事業(yè)部電源管理市場工程師胡鳳平則強(qiáng)調(diào)，zui近一段時間市場上供貨的確出現(xiàn)緊張的情況，不過英飛凌的產(chǎn)品目前仍堅持沒有調(diào)漲。

 

英飛凌目前所生產(chǎn)的MOSFET可分為高壓CoolMOS和低壓OptiMOS兩大種類，以300V電壓等級為分界點(diǎn)。CoolMOS主要應(yīng)用在太陽能，通信/服務(wù)器電源，平板電視電源，計算機(jī)適配器等。而OptiMOS的應(yīng)用除了開關(guān)電源以外，還包括計算機(jī)主板，低壓電機(jī)驅(qū)動以及手持設(shè)備等等。至于分立IGBT部分，則主要有600V和1200V的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用在太陽能，家電以及工業(yè)應(yīng)用，如變頻器/電焊機(jī)等場合。

 

率、高性價比及綠色封裝為產(chǎn)品重點(diǎn)

 

針對國內(nèi)市場對于MOSFET/IGBT組件的需求，英飛凌胡鳳平表示，國內(nèi)客戶對能效要求已滲透到生活的各方面，而英飛凌產(chǎn)品包括MOSFET/IGBT都具有率、高性價比以及綠色封裝等特點(diǎn)，因此英飛凌的MOSFET/IGBT可以協(xié)助客戶輕松實(shí)現(xiàn)能源標(biāo)準(zhǔn)。再者，針對國內(nèi)具體要求，英飛凌提供靈活的服務(wù)和，擁有*的代理商管道，以及第三方和技術(shù)合作伙伴，同時英飛凌在深圳和上海皆設(shè)有市場銷售以及中心。

 

就目前國內(nèi)的MOSFET市場生態(tài)來看，消費(fèi)類電子產(chǎn)品、電信、工控、汽車電子等市場仍被國外半導(dǎo)體器件品牌大廠所把持，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、東芝、飛兆等。

 

其中，飛兆半導(dǎo)體電源系統(tǒng)總監(jiān)羅鐘民表示，MOSFET產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的重要部分，而且已為消費(fèi)和工業(yè)市場提供各種電壓范圍（從-500V到1500V）和封裝（穿孔式、SMD、PQFN和模塊封裝）的MOSFET產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可用于臺式計算機(jī)、服務(wù)器、LCD/PDP電視機(jī)、電子鎮(zhèn)流器、直流馬達(dá)、電池系統(tǒng)、汽車應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施等方面。飛兆半導(dǎo)體根據(jù)各種應(yīng)用需求，分別推出SuperFET系列（600/650V）、Power Trench MOSFET（<200V）和QFET/UniFET（-500V到1000V）。

 

另外，在IGBT產(chǎn)品方面，羅鐘民表示，飛兆半導(dǎo)體的IGBT產(chǎn)品通常用于感應(yīng)加熱、UPS、太陽能逆變器、焊機(jī)和馬達(dá)控制、PDP電視，以及Vces為300V到1500V的汽車點(diǎn)火器等工業(yè)應(yīng)用，并能夠針對各種應(yīng)用，提供不同的開關(guān)性能和短路性能。飛兆半導(dǎo)體目前已推出使用平面或溝道設(shè)計工藝的穿透型（PT） IGBT、非穿透型（NPT） IGBT、SMPS IGBT和新型場截止（FS） IGBT。

 

國內(nèi)應(yīng)用市場仍由國外大廠把持

 

針對國內(nèi)市場，飛兆半導(dǎo)體的主推產(chǎn)品則為UniFET、SuperFET、Power Trench MOSFET，以及NPT Trench IGBT、場截止IGBT等。其中，UniFET可為普通電源、數(shù)字電視機(jī)和電子照明市場提供高成本效益的高壓MOSFET解決方案；SuperFET則是600V超級結(jié)MOSFET，具有極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，可提高系統(tǒng)效率和減小體積。

 

Power Trench MOSFET則使用溝道工藝來增加活動單元密度，減小20V到150V電壓范圍之同步整流、電池系統(tǒng)、馬達(dá)控制和DC/DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的A*RDS（on）和柵極電荷；至于場截止IGBT則在VCE（sat）和Eoff特性之間提供優(yōu)化性能，具有高成本效益，將應(yīng)用于感應(yīng)加熱、UPS、太陽能逆變器、焊機(jī)和馬達(dá)控制等應(yīng)用。

 

飛兆羅鐘民表示，MOSFET/IGBT的交貨期必需取決于市場狀況，不過，一般而言，MOSFET/IGBT產(chǎn)品的正常交付時間為8-10周，但目前的情況是處于供不應(yīng)求。