半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。

本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用。

SiO₂預(yù)清洗的原因:

SiO₂在刻蝕前需要將其表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層等去除，且不破壞晶體的表面特性。

KRI離子源在SiO₂基片預(yù)清洗方法：

客戶自己搭建真空系統(tǒng)，集成離子源，具體做法如下。
1.將SiO2基片放進真空系統(tǒng)，調(diào)整離子源；
2.抽取真空到某真空度后，啟動離子源；
3.利用離子源釋放的能量對SiO2基片進行轟擊；

KRI離子源在SiO₂材料預(yù)清洗客戶案例：

成都某工藝研究所，通過伯東購買離子源KDC40

KRI離子源優(yōu)勢：

1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面。

2.KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計更符合離子源於離子拋光機內(nèi)部的移動運行。

3.不僅廣泛應(yīng)用於生產(chǎn)單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快。

4.可因應(yīng)多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易。

伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東是德國 Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口品牌的代理商 .我們真誠期待與您的合作！

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐