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KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對(duì)材料進(jìn)行加工, 真空環(huán)境下, 實(shí)現(xiàn)沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
| 工藝應(yīng)用 | 簡(jiǎn)稱 |
| In-situ substrate preclean 預(yù)清潔 | PC |
| Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
| - Surface polishing or smoothing 表面拋光 | |
| - Surface nanostructures and texturing | |
| - Ion figuring and enhancement 離子計(jì)算和增強(qiáng) | |
| - Ion trimming and tuning 離子修整和調(diào)諧 | |
| - Surface-activated bonding 表面激活鍵合 | SAB |
| Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜 | IBAD |
| Ion-beam etching 離子蝕刻 | IBE |
| - Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻 | RIBE |
| - Chemically assisted ion-beam etching 化學(xué)輔助離子束蝕刻 | CAIBE |
| Ion-beam sputter deposition 離子濺射 | IBSD |
| - Reactive ion-beam sputter deposition 反應(yīng)離子濺射 | RIBSD |
| - Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
| Direct deposition 直接沉積 | DD |
| - Hard and functional coatings |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解美國 KRi 離子源詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
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SAMPE中國第二十屆國際先進(jìn)復(fù)合材料展覽會(huì)
展會(huì)城市：北京市展會(huì)時(shí)間：2025-06-18