IGBT

模塊簡介

IGBT

是

Insulated Gate Bipolar Transistor(

絕緣柵雙極型晶體管

)

的縮寫，

IGBT

是由

MOSFET

和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為

MOSFET

，輸出極為

PNP

晶體

管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有

MOSFET

器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，

又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于

MOSFET

與功率晶體管之

間，可正常工作于幾十

kHz

頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，

在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

IGBT

的等效電路如圖

1

所示。由圖

1

可知，若在

IGBT

的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正

電壓，則

MOSFET

導(dǎo)通，這樣

PNP

晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)

通；若

IGBT

的柵極和發(fā)射極之間電壓為

0V

，則

MOS 

截止，切斷

PNP

晶體管基極電流的

供給，使得晶體管截止。

IGBT

與

MOSFET

一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極

—

發(fā)射極

間施加十幾

V

的直流電壓，只有在

uA

級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。

IGBT

模塊的選擇

IGBT

模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。

其相互關(guān)系見

下表。使用中當(dāng)

IGBT

模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開關(guān)損耗

增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用

IGBT

模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高

頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

3 

使用中的注意事項(xiàng)

由于

IGBT

模塊為

MOSFET

結(jié)構(gòu)，

IGBT

的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。

由