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ICN85系列觸控芯片是繼已經(jīng)在市場(chǎng)上得到各主要平臺(tái)認(rèn)證以及大批量穩(wěn)定量產(chǎn)的ICN83系列之后,集創(chuàng)北方再度向觸控市場(chǎng)推出的一款戰(zhàn)略產(chǎn)品?;贗CN83系列產(chǎn)品積累的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù),ICN85系列秉承“客戶體驗(yàn)為核心”的設(shè)計(jì)思路,在雜訊抑制、跳頻工作方式、算法和功耗四個(gè)方面取得了顯著創(chuàng)新,且處理性能遠(yuǎn)高于國內(nèi)廣泛采用的同類觸控芯片,理想地滿足了用戶在防水、懸浮、戴手套、接近感應(yīng)及極度溫差下的觸控使用需求,支持超靈敏、簡(jiǎn)約手勢(shì)、可穿戴三大時(shí)尚應(yīng)用。
支持超靈敏觸控應(yīng)用,即支持戴手套、被動(dòng)筆、鑰匙、小刀以及其他金屬物品的觸控應(yīng)用。ICN85系列采用了自有的創(chuàng)新技術(shù),進(jìn)一步降低了觸摸屏的底噪,可以支持超細(xì)被動(dòng)筆,讓觸控操作可以更符合人的手寫習(xí)慣。
基于集創(chuàng)長期積累開發(fā)的智能手勢(shì)識(shí)別算法,ICN85也*支持目前市場(chǎng)上智能終端設(shè)備流行的簡(jiǎn)約手勢(shì)應(yīng)用——利用簡(jiǎn)單手勢(shì)在屏幕上直接進(jìn)入相應(yīng)的應(yīng)用,(如在待機(jī)界面畫一個(gè)“C”就可以直接進(jìn)入相機(jī)的應(yīng)用)摒棄了原來繁瑣的操作流程,手勢(shì)識(shí)別成功率高于98%。
此外,ICN85系列觸控芯片支持市場(chǎng)上炙手可熱的可穿戴式應(yīng)用,支持弧面TP可讓穿戴設(shè)計(jì)更隨意。同時(shí),高信噪比(SNR)和專為弧面設(shè)計(jì)的算法保證了手指在弧面上觸摸時(shí)接觸面積不停變化的情況下依然能計(jì)算出的坐標(biāo)(中心坐標(biāo)偏差≤1mm)。
ICN85系列采用互電容+自電容的架構(gòu),zui大可支持至56通道,搭載32位MCU及DSP,其數(shù)字處理能力經(jīng)測(cè)算相當(dāng)于20倍的單8位/近10倍的雙8位MCU。ICN85系列觸控芯片采用創(chuàng)新的打正弦波工作方式,提升了信噪比和檢測(cè)效率,可明顯地“抵制”信道雜訊,在相同模組條件下,ICN85系列的用戶操作體驗(yàn)更佳。
為應(yīng)對(duì)充電器干擾、LCM、RF干擾等棘手問題,ICN85系列觸控芯片采用*的窄帶濾波器技術(shù),1KHz超精細(xì)的可控驅(qū)動(dòng)頻率,大大提高了芯片的干擾抑制能力,達(dá)到*的產(chǎn)品的水平,整體表現(xiàn)及客戶體驗(yàn)優(yōu)于國內(nèi)主流競(jìng)爭(zhēng)廠商。
同時(shí),ICN85實(shí)現(xiàn)了高阻抗TP模組下每一個(gè)TX/RX交叉點(diǎn)信號(hào)增益量的獨(dú)立設(shè)置,此項(xiàng)創(chuàng)新結(jié)合集創(chuàng)自研的強(qiáng)大算法,較好地解決了大阻抗帶來的TP一致性問題,并能提升TP模組良率。以穩(wěn)定可靠的性能實(shí)現(xiàn)更佳的觸模效果,給用戶帶來了良好的體驗(yàn)。
ICN85系列全面提升芯片信噪比(SNR)、差動(dòng)訊號(hào)分析功能,以互電容檢測(cè)為主,輔以自電容檢測(cè),具有的防水性能,并有效的抑制掌壓,大面積噪音,實(shí)現(xiàn)了在In-cell模組下的多點(diǎn)應(yīng)用。ICN85系列支持目前主流的Add-On模組,包括OGS、單層GF/GG互容、G1F、GF2、GFF等。方案兼顧超薄、窄邊及低成本三大需求,將為智能手機(jī)、平板電腦等終端帶來高性價(jià)比的客戶體驗(yàn)。
ICN85系列產(chǎn)品支持真實(shí)10點(diǎn)觸摸,支持4.0-10.1”CTPM內(nèi)置高性能32位MCU+DSP適用于DITO/SITO/OGSCTPM模組支持LCM全貼合支持通道數(shù):zui高56通道(支持16:9、4:3應(yīng)用)支持COF/COB應(yīng)用支持I2C/SPI接口高報(bào)點(diǎn)率:60~200Hz有效抑制RF、LCM干擾,更強(qiáng)的抗充電器*力,互容+自容架構(gòu),實(shí)現(xiàn)的防水性能、支持手套觸摸、接近感應(yīng)功能。
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