微軟在其即將推出的Windows Vista操作系統(tǒng)內(nèi)集成了諸如混合磁盤驅(qū)動(dòng)器和ReadyBoost和ReadyDrive等儲存方案，這表明這些方案和英特爾提出的替代性的Robson技術(shù)已走入舞臺*。這些方案均提供低成本、高密度NAND閃存。

    然而，隨著閃存制造商將工藝技術(shù)推向小至40nm的特征尺寸，若要獲得高達(dá)32Gb的芯片密度，則不得不考慮隨之而來的性能和與結(jié)構(gòu)相關(guān)的問題。例如，盡管表面上很相似，同等容量的NAND閃存經(jīng)常采用不同的內(nèi)部控制結(jié)構(gòu)。存儲芯片的外部管理依賴于為此存儲器優(yōu)化的特定的控制芯片。這使系統(tǒng)制造商更難以改變供應(yīng)商以獲得優(yōu)化的成本節(jié)省。

    為了允許處理多供應(yīng)商芯片，存儲控制器將不得不足夠靈活，對其控制接口加以調(diào)整。這徒增了許多控制器芯片設(shè)計(jì)的人力成本，可能限制控制器處理未來NAND存儲器的能力。作為替代，英特爾與美光共同提出了開放NAND閃存接口（ONFI），被稱為受控NAND。三星開發(fā)了自己的名為MoviNAND方案，在單片封裝內(nèi)加入了多媒體存儲卡控制器和NAND存儲器。在這些方案中，存儲控制器被集成到NAND存儲芯片或者與之并排，從而為主機(jī)系統(tǒng)提供了更標(biāo)準(zhǔn)的接口。

    市場研究公司IDC消費(fèi)半導(dǎo)體研究分析師IdaRose Sylvester指出，板上NAND需求和手機(jī)內(nèi)對閃存卡的需求將獲得zui大幅度的增長。另外，儲存要求增加對未經(jīng)*的數(shù)據(jù)侵入實(shí)施更大保護(hù)。英特爾閃存部工程師John Rudelic表示，閃存易于受到黑客威脅，閃存外部的電路也易被黑掉。

    NOR閃存內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的模塊鎖閉提供的保護(hù)不充分，甚至將關(guān)鍵代碼轉(zhuǎn)移到芯片組片上芯片或引導(dǎo)ROM，這使得保護(hù)限制于初始化序列，使剩余的數(shù)據(jù)易受攻擊。

    在Memcon上，英特爾披露了經(jīng)過認(rèn)證的閃存結(jié)構(gòu)，以NOR閃存實(shí)現(xiàn)，在閃存內(nèi)集成了FIPS兼容的隨機(jī)數(shù)生成器和SHA-1和RSA宏。通過采用認(rèn)證過的序列，存儲器在執(zhí)行任何操作前都需要一個(gè)有效簽名。Rudelic表示，這一方案防止了有意更改閃存的行為，保護(hù)了整個(gè)閃存，采用獨(dú)立于CPU主機(jī)的硬件。據(jù)悉，這種存儲器的樣品目前已可供應(yīng)，英特爾正在研制一種替代源。

    目前，在許多手機(jī)內(nèi)，NOR和NAND閃存共存，NOR閃存負(fù)責(zé)操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，而NAND閃存維持音視頻和靜止圖像數(shù)據(jù)。然而，隨著系統(tǒng)性能要求增加，NOR閃存上的標(biāo)準(zhǔn)地址/存儲器總線接口也大勢已去。為提升性能，意法半導(dǎo)體提出了雙數(shù)據(jù)率存儲接口，以翻番傳輸速率。維持存儲性能將要求存儲器內(nèi)部流水線化，但接口將導(dǎo)致系統(tǒng)級簡化，引腳數(shù)量更少。