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日本電子元件巨頭TDK公司于當地時間4月15日宣布，在光電融合領域取得革命性突破。
該公司研發(fā)的新型光子集成電路(Photonic IC)通過激光脈沖調制技術，成功實現(xiàn)每秒1.6太比特(Tbps)的數據傳輸速率，較現(xiàn)有電子半導體器件的處理速度提升達10倍以上。
這項名為"光子-電子混合集成技術"的創(chuàng)新，通過將光學信號傳輸與電子計算單元深度融合，突破了傳統(tǒng)半導體材料在數據傳輸速率和能耗上的物理極限。此外，該技術利用光子替代電子進行芯片間通信，使得單通道數據傳輸帶寬達到每秒1.6太比特，同時將能耗降低至傳統(tǒng)方案的1/5。
據TDK技術總監(jiān)小林健二在東京記者會上披露，該技術核心在于將傳統(tǒng)電子器件的電荷傳輸模式轉變?yōu)楣庾诱袷幠Ｊ剑捎锰厥庠O計的氮化鎵基半導體材料，成功將光信號調制時間壓縮至0.03皮秒級別，使數據延遲從現(xiàn)有系統(tǒng)的7.2納秒驟降至0.68納秒，同時能耗降低83%。
業(yè)內人士認為，此次突破的關鍵在于TDK研發(fā)的新型光子晶體材料。
這種基于氮化鎵的納米結構材料能夠在常溫下實現(xiàn)光子信號的高效調制，成功克服了光學元件體積過大、熱穩(wěn)定性差等長期困擾業(yè)界的難題。目前，該技術已在東京大學人工智能研究所的試驗平臺上完成驗證，在GPT-4級別大模型的參數更新環(huán)節(jié)展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
市場研究機構ABI Research首席分析師詹姆斯·布萊克曼評論稱："這標志著半導體工業(yè)從電子時代向光子時代的轉折點。如果TDK能在2025年如期實現(xiàn)量產，數據中心的基礎架構將迎來根本性變革，大模型的訓練周期有望從數月縮短至數周。"
據悉，TDK計劃與臺積電、三星電子等代工廠合作開發(fā)專用產線，首批樣品預計2024年第四季度交付。公司同時宣布將在北海道建設全球首座光子-電子混合芯片工廠，初期投資達12億美元。
野村證券半導體分析師佐藤隆預估，若TDK能在2025年前實現(xiàn)量產，全球AI芯片市場格局或將面臨重構。
中國科技部則在最新發(fā)布的《AI基礎設施白皮書》中將光子芯片列為重點突破方向。分析人士認為，TDK的突破標志著全球半導體競賽已進入"后摩爾定律"的新階段，光電子融合技術或將成為決定未來AI產業(yè)領導權的關鍵賽道。
浙公網安備 33010602000006號
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