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      英特爾實(shí)驗(yàn)室宣布集成光子學(xué)研究進(jìn)展

      2022-07-01 09:58:46來(lái)源:OFweek激光網(wǎng) 關(guān)鍵詞:光收發(fā)器激光器閱讀量:24341

      導(dǎo)讀:最重要的是,這可以通過(guò)使用英特爾晶圓廠中現(xiàn)有的制造和工藝控制來(lái)完成,從而確保下一代共封裝光學(xué)器件和大規(guī)模光計(jì)算互連的批量生產(chǎn)的清晰路徑。”
        英特爾實(shí)驗(yàn)室宣布其集成光子學(xué)研究取得重大進(jìn)展。最新的研究展示了多波長(zhǎng)集成光學(xué)器件的行業(yè)領(lǐng)先進(jìn)展,包括演示了完全集成在硅晶圓上的八波長(zhǎng)分布式反饋(DFB)激光陣列,并提供+/- 0.25dB的出色輸出功率均勻性和超過(guò)行業(yè)規(guī)格的±6.5%的波長(zhǎng)間距均勻性。
       
        英特爾實(shí)驗(yàn)室高級(jí)首席工程師Haisheng Rong表示:“這項(xiàng)新研究表明,有可能在均勻和密集間隔的波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)匹配良好的輸出功率。最重要的是,這可以通過(guò)使用英特爾晶圓廠中現(xiàn)有的制造和工藝控制來(lái)完成,從而確保下一代共封裝光學(xué)器件和大規(guī)模光計(jì)算互連的批量生產(chǎn)的清晰路徑。”
       
        它意味著什么?
       
        這一進(jìn)展將使生產(chǎn)的光源具有未來(lái)大批量應(yīng)用所需的性能,如用于包括人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)在內(nèi)的新興網(wǎng)絡(luò)密集型工作負(fù)載的共封裝光學(xué)和光學(xué)計(jì)算互連。該激光器陣列建立在英特爾的300毫米硅光子學(xué)制造工藝上,為大批量制造和廣泛部署鋪平了道路。
       
        Gartner預(yù)測(cè),到2025年,硅光子學(xué)將被用于所有高帶寬數(shù)據(jù)中心通信渠道的20%以上,而2020年這一比例還不到5%,總的可用市場(chǎng)將達(dá)到26億美元。對(duì)低功耗、高帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸的需求不斷增長(zhǎng),推動(dòng)了對(duì)硅光子學(xué)的需求,以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心的應(yīng)用和其他方面。
       
        為什么它很重要?
       
        光纖連接在20世紀(jì)80年代開(kāi)始取代銅線,光纖中的光傳輸具有固有的高帶寬,而不是通過(guò)金屬線傳輸?shù)碾娒}沖。由于元件尺寸和成本的降低,該技術(shù)變得更加有效,這使得過(guò)去幾年在使用光互連的網(wǎng)絡(luò)解決方案方面取得了突破性進(jìn)展,例如在交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心和其他高性能計(jì)算環(huán)境中。
       
        隨著電氣互連性能限制的上升,在同一封裝上并排集成硅電路和光學(xué)器件,為未來(lái)的輸入/輸出(I/O)接口帶來(lái)了希望,其能源效率得到提高,覆蓋范圍也更廣。這些光子技術(shù)是在英特爾的工廠里利用現(xiàn)有的工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的,這意味著大規(guī)模制造的有利成本降低。
       
        最近采用密集波分復(fù)用(DWDM)技術(shù)的共封裝光學(xué)解決方案展示了在大幅減少光子芯片的物理尺寸的同時(shí)增加帶寬的前景。然而,直到現(xiàn)在,要生產(chǎn)具有統(tǒng)一波長(zhǎng)間隔和功率的DWDM光源非常困難。這一新進(jìn)展確保了光源波長(zhǎng)分離的一致性,同時(shí)保持了均勻的輸出功率,從而滿足光計(jì)算互連和DWDM通信的要求之一。使用光互連的下一代計(jì)算I/O可以為未來(lái)高帶寬AI和ML工作負(fù)載的極端需求量身定制。
       
        它是如何工作的?
       
        八個(gè)波長(zhǎng)的DFB陣列是利用英特爾的商用300毫米混合硅光子學(xué)平臺(tái)設(shè)計(jì)和制造的,該平臺(tái)被用來(lái)批量生產(chǎn)光收發(fā)器。這項(xiàng)創(chuàng)新標(biāo)志著在大批量互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工廠中激光制造能力的重大進(jìn)步,它利用了用于制造300毫米硅晶圓的相同光刻技術(shù),并實(shí)現(xiàn)了嚴(yán)格的工藝控制。
       
        在這項(xiàng)研究中,英特爾使用了先進(jìn)的光刻技術(shù),在III-V族晶圓粘合工藝之前,在硅中定義波導(dǎo)光柵。與在3英寸或4英寸III-V晶圓廠生產(chǎn)的傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器相比,這種技術(shù)帶來(lái)了更好的波長(zhǎng)均勻性。此外,由于激光器的緊密集成,該陣列在環(huán)境溫度改變時(shí)也能保持其通道間距。
       
        下一步計(jì)劃是什么?
       
        作為硅光子技術(shù)的先驅(qū),英特爾致力于開(kāi)發(fā)解決方案,以滿足對(duì)更高效、更有資源的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求。正在開(kāi)發(fā)的核心技術(shù)構(gòu)件包括光的產(chǎn)生、放大、檢測(cè)、調(diào)制、CMOS接口電路和封裝集成技術(shù)。
       
        此外,八波長(zhǎng)集成激光器陣列技術(shù)的許多方面正在由英特爾的硅光子學(xué)產(chǎn)品部門(mén)實(shí)施。作為未來(lái)光計(jì)算互連芯片產(chǎn)品的一部分,即將推出的產(chǎn)品將在包括CPU、GPU和內(nèi)存在內(nèi)的計(jì)算資源之間提供高能效、高性能的每秒多太比特的互連,而集成激光器陣列是實(shí)現(xiàn)支持大批量制造和部署的緊湊而經(jīng)濟(jì)的解決方案的一個(gè)關(guān)鍵要素。
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