霍爾傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15us)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。
產(chǎn)品特點(diǎn)
50μs-500μs的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)
15μs超快上升沿(典型時(shí)間)
兩路同步測(cè)量電壓0.3mV-18V
0.1%測(cè)試精度
單臺(tái)5-1000A程控輸出,可多臺(tái)并聯(lián)最高達(dá)6000A
支持過(guò)流保護(hù)、異常開(kāi)路保護(hù)
可快速測(cè)試IGBT或SiC的單管及半橋
可適用于大電流傳感器(階躍)響應(yīng)時(shí)間測(cè)試
霍爾傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來(lái),普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。