高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀現(xiàn)貨 高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀現(xiàn)貨

庫(kù)號(hào)：M301889   查看hh

1、概述
LT-100C高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（MF28-0707、MF1535-0707）及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，由于對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
LT-100C型壽命儀是LT-1（基本型）的升級(jí)換代產(chǎn)品，在低阻硅單晶測(cè)量時(shí)，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測(cè)量下限從ρ＞3Ω·cm，延伸到ρ≥0.3Ω•cm，除能測(cè)量高阻單晶外亦可滿足太陽(yáng)電池級(jí)硅片（裸片）的測(cè)試要求，儀器既可測(cè)量硅塊亦可測(cè)量硅片（硅片可放在托架上測(cè)量）。
該儀器為了能直接讀取壽命值編寫(xiě)了特殊的軟件存入數(shù)字存儲(chǔ)示波器，這些軟件依照少子壽命測(cè)量的基本原理編寫(xiě)，同時(shí)采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。
該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測(cè)范圍，除配置了波長(zhǎng)為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長(zhǎng)為0.904～0.905μm光強(qiáng)更強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測(cè)下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺(tái)，一種波長(zhǎng)為1.07μm，適合于測(cè)量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長(zhǎng)為0.904～0.905μm，適合于測(cè)量切割或研磨硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近。
2、參數(shù)

（1）儀器測(cè)量范圍：
少子壽命測(cè)量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。
型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶。
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs
紅外光源長(zhǎng)波長(zhǎng)：1.06～1.08μm 脈沖電流：5A～16A
紅外光源短波長(zhǎng)：0.904～0.905μm 脈沖電流：5A～16A
（3）高頻源
頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
（5）儀器所配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測(cè)量低阻樣片用的升降臺(tái)以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺(tái)。

（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡(jiǎn)單，點(diǎn)擊“測(cè)量”即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫(kù)，可進(jìn)行查詢(xún)歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

 

庫(kù)號(hào)：M301889   查看hh

1、概述
LT-100C高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（MF28-0707、MF1535-0707）及標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，由于對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
LT-100C型壽命儀是LT-1（基本型）的升級(jí)換代產(chǎn)品，在低阻硅單晶測(cè)量時(shí)，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測(cè)量下限從ρ＞3Ω·cm，延伸到ρ≥0.3Ω•cm，除能測(cè)量高阻單晶外亦可滿足太陽(yáng)電池級(jí)硅片（裸片）的測(cè)試要求，儀器既可測(cè)量硅塊亦可測(cè)量硅片（硅片可放在托架上測(cè)量）。
該儀器為了能直接讀取壽命值編寫(xiě)了特殊的軟件存入數(shù)字存儲(chǔ)示波器，這些軟件依照少子壽命測(cè)量的基本原理編寫(xiě)，同時(shí)采用了標(biāo)準(zhǔn)（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。
該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測(cè)范圍，除配置了波長(zhǎng)為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長(zhǎng)為0.904～0.905μm光強(qiáng)更強(qiáng)的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測(cè)下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺(tái)，一種波長(zhǎng)為1.07μm，適合于測(cè)量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長(zhǎng)為0.904～0.905μm，適合于測(cè)量切割或研磨硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近。
2、參數(shù)

（1）儀器測(cè)量范圍：
少子壽命測(cè)量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測(cè)量上限。
型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶。
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs
紅外光源長(zhǎng)波長(zhǎng)：1.06～1.08μm 脈沖電流：5A～16A
紅外光源短波長(zhǎng)：0.904～0.905μm 脈沖電流：5A～16A
（3）高頻源
頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
（5）儀器所配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測(cè)量低阻樣片用的升降臺(tái)以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺(tái)。

（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測(cè)試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡(jiǎn)單，點(diǎn)擊“測(cè)量”即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫(kù)，可進(jìn)行查詢(xún)歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。