下面分為幾個方面給大家介紹一下場效應管工作原理，對于學習電子方面的同學，非常有幫助的。
　　
　　場效應管工作原理(1)
　　
　　場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
　　
　　一、場效應管的分類
　　
　　場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其它電極*絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用的是MOS場效應管，簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及zui近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。
　　
　　按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
　　
　　場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
　　
　　二、場效應三極管的型號命名方法
　　
　　現行有兩種命名方法。*種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場效應管，O代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。
　　
　　第二種命名方法是CS××#，CS代表場效應管，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。
　　
　　三、場效應管的參數
　　
　　場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但一般使用時關注以下主要參數：
　　
　　1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
　　
　　2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
　　
　　3、UT—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
　　
　　4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場效應管放大能力的重要參數。
　　
　　5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能承受的zui大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。
　　
　　6、PDSM—zui大耗散功率。也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的zui大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。
　　
　　7、IDSM—zui大漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的zui大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM
　　
　　幾種常用的場效應三極管的主要參數
　　
　　四、場效應管的作用
　　
　　1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
　　
　　2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
　　
　　3、場效應管可以用作可變電阻。
　　
　　4、場效應管可以方便地用作恒流源。
　　
　　5、場效應管可以用作電子開關。
　　
　　五、場效應管的測試
　　
　　1、結型場效應管的管腳識別：
　　
　　場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S(可互換)，余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極(使用中接地)。
　　
　　2、判定柵極
　　
　　用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。
　　
　　制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。
　　
　　注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻*，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。
　　
　　3、估測場效應管的放大能力
　　
　　將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱;若表針不動，說明管子已經損壞。
　　
　　由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數管子的RDS增大，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何，只要能有明顯地擺動，就說明管子具有放大能力。
　　
　　本方法也適用于測MOS管。為了保護MOS場效應管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極上，將管子損壞。
　　
　　MOS管每次測量完畢，G-S結電容上會充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測時表針可能不動，此時將G-S極間短路一下即可。
　　
　　目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如下圖所示。
　　
　　六、常用場效用管
　　
　　1、MOS場效應管
　　
　　即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻(zui高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
　　
　　以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1(a)符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料(襯底)指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN(一般約為+2V)時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。