由 于IGBT模塊MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT網(wǎng)格通過(guò)一層氧化膜和發(fā)射器實(shí)現(xiàn)電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v .因此引起的靜態(tài)電網(wǎng)故障的常見(jiàn)原因之一IGBT的失敗。因此使用應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),不要觸摸驅(qū)動(dòng)器終端部分,當(dāng)必須觸摸模塊終端靜電對(duì)人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導(dǎo)電材料模塊驅(qū)動(dòng)程序終端連接,連接沒(méi)有連接之前請(qǐng)不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時(shí),盡管在應(yīng)用 程序以確保門驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)電網(wǎng)zui大額定電壓,但網(wǎng)格之間的寄生電感和電容耦合連接網(wǎng)格和收藏家,也會(huì)產(chǎn)生氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常由雙絞線傳輸 信號(hào),以減少寄生電感。小電阻串聯(lián)在電網(wǎng)連接也可以抑制振蕩電壓。此外,在開(kāi)放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發(fā)射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經(jīng)收集器,更高的柵極電壓,電流流經(jīng)收集器。此時(shí),如果收藏家和發(fā)射電極的高電壓,它可以使IGBT發(fā)燒時(shí)損壞。IGBT的使用場(chǎng)合,當(dāng)柵極電路正常或柵 極電路損壞(網(wǎng)格在開(kāi)路狀態(tài)),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類故障,應(yīng)該是門和發(fā)射極之間串接一個(gè)10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時(shí)候,我們應(yīng)該高度重視的接觸狀態(tài)IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的*熱 導(dǎo)電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風(fēng)扇,當(dāng)散熱器冷卻的冷卻風(fēng)扇損壞壞熱將導(dǎo)致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風(fēng)扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當(dāng)溫度太高會(huì)報(bào)警或停止IGBT模塊的工作。

IGBT 模塊的電壓規(guī)格和設(shè)備的輸入電源或嘗試使用的電源電壓是密切相關(guān)的。請(qǐng)參閱下面的表之間的關(guān)系。時(shí)使用IGBT模塊集電極電流增加時(shí),額定損失更大。增加 同時(shí),開(kāi)關(guān)損失,原來(lái)的發(fā)燒而加劇,因此,在選擇IGBT模塊額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是在高頻開(kāi)關(guān),使用時(shí)由于切換損失增加,發(fā)熱和選擇時(shí)應(yīng)該減少 使用,等等。