除了現(xiàn)有采用英飛凌IGBT芯片的SEMITRANS模塊，SEMITRANS模塊現(xiàn)還可以選擇使用阻斷電壓為1200V的富士V-IGBT芯片。新的V-IGBT有三種不同的模塊尺寸，8種不同的功率等級(jí)和3種開(kāi)關(guān)拓?fù)洹＿@些模塊的額定電流為150A至600A。SEMITRANS 3和4模塊是超低電感模塊，模塊電感僅為15nH。IGBT 5000A/µs的典型開(kāi)關(guān)速度會(huì)帶來(lái)75V的模塊過(guò)電壓。相比之下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的平均模塊過(guò)電壓在90V至125V之間。模塊為單開(kāi)關(guān)、半橋或斬波器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，專門用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器中或任何其他給定應(yīng)用領(lǐng)域的變頻器。

　　標(biāo)準(zhǔn)SEMITRANS模塊擁有4000V/min的高絕緣強(qiáng)度，比2500V/Min的絕緣強(qiáng)度規(guī)范高60%，凸顯SEMITRANS模塊的品質(zhì)。除了具有IGBT2、IGBT2快速、IGBT3或IGBT4技術(shù)特點(diǎn)的1200V模塊，這些模塊還有600和1700V的兩種阻斷電壓可供選擇。

　　現(xiàn)有三種標(biāo)準(zhǔn)SEMITRANS外殼尺寸，34mm寬的SEMITRANS 2和62mm寬的SEMITRANS 3和4模塊。也提供用于非標(biāo)準(zhǔn)客戶應(yīng)用的額外尺寸，例如，帶有6脈沖逆變橋電路的SEMITRANS 6，具有用于三電平逆變器以及電流監(jiān)控電路的SEMITRANS 5，這些是通過(guò)將分流器集成到模塊中實(shí)現(xiàn)的。SEMITRANS 9是為鐵路應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的，可以提供高達(dá)9kV的絕緣強(qiáng)度。 SEMITRANS模塊均采用銅基板