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      行業(yè)產(chǎn)品

      • 行業(yè)產(chǎn)品

      富泰微科學(xué)儀器(上海)有限公司


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      日立 熱場(chǎng)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SU5000

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      產(chǎn)品型號(hào)

      品       牌

      廠商性質(zhì)其他

      所  在  地上海市

      聯(lián)系方式:李經(jīng)理查看聯(lián)系方式

      更新時(shí)間:2024-06-17 12:11:30瀏覽次數(shù):143次

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      經(jīng)營(yíng)模式:其他

      商鋪產(chǎn)品:27條

      所在地區(qū):

      聯(lián)系人:李經(jīng)理

      產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      產(chǎn)品介紹 創(chuàng)新的“EM Wizard"界面更加直觀,僅需要“點(diǎn)擊"即可得到的圖像。 超前的電腦輔助技術(shù)將電鏡的操作與控制提升到一個(gè)新水平。

      詳細(xì)介紹

      熱場(chǎng)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡 SU5000_看圖王.web.jpg




      產(chǎn)品介紹:


      創(chuàng)新的“EM Wizard"界面更加直觀,僅需要“點(diǎn)擊"即可得到的圖像。
      超前的電腦輔助技術(shù)將電鏡的操作與控制提升到一個(gè)新水平。


      產(chǎn)品特點(diǎn):


      高性能電子光學(xué)系統(tǒng)



      • 二次電子分辨率: 頂位二次電子探測(cè)器(2.0 nm at 1kV)*

      • 高靈敏度: 高效PD-BSD, 的低加速電壓性能,低至100 V成像

      • 大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析

      性能優(yōu)異:


      • 壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配備高靈敏度低真空探測(cè)器(UVD)*

      • 開(kāi)倉(cāng)室快速簡(jiǎn)單換樣(樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)

      • 微區(qū)分析: EDS, WDS, EBSD等等

      產(chǎn)品規(guī)格:


      項(xiàng)目內(nèi)容
      分辨率1.2nm @ 30 kV
      3.0nm @ 1 kV
      2.0nm @ 1 kV 減速模式*1
      3.0nm @ 15 kV 低真空模式*2
      放大倍率10 -600,000×(底片倍率),18-1,000,000×(800×600 像素)
      30-1,500,000×(1,280×960像素)
      電子光學(xué)系統(tǒng)電子槍ZrO/W 肖特基式電子槍
      加速電壓0.5-30kV(0.1kV步進(jìn))
      著陸電壓減速模式:0.1-2.0kV*1
      束流>200 nA
      探測(cè)器低位二次電子探測(cè)器
      低真空模式*2真空范圍:10-300Pa
      馬達(dá)臺(tái)
      馬達(dá)臺(tái)控制5-軸自動(dòng)(優(yōu)中心)
      可動(dòng)范圍
      X:0~100mm
      Y:0 ~ 50mm
      Z:3 ~ 65mm
      T:-20 ~ 90°
      R:360°
      樣品尺寸直徑:200mm
      高度:80mm
      選配探測(cè)器
      • 高分辨率頂位二次電子探測(cè)器*1

      • 高靈敏度低真空探測(cè)器 (UVD)

      • 5分割半導(dǎo)體探測(cè)器 (PD-BSD)*3

      • 能譜儀 (EDS)

      • 波譜儀 (WDS)

      • 背散射電子衍射探測(cè)器 (EBSD)


      *1:減速功能(包含高分辨率頂位二次電子探測(cè)器)
      *2:低真空功能(包含5分割半導(dǎo)體探測(cè)器)

      *3:空壓機(jī)(本地采購(gòu))


      應(yīng)用實(shí)例:



      樣品: 氧化鋅粉末
      著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,000x
      低電壓下頂位二次電子探測(cè)器成像



      樣品: PTFE
      加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13,000x
      UVD探測(cè)器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
      (40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像


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