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分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器如數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源等完成。過(guò)...

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...

實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的較佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)...

通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的較佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)之?dāng)?shù)字源表（SM...

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...

霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象，當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過(guò)半導(dǎo)體時(shí)，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng)，霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻...

IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主 要參數(shù)之一，普賽斯“五合一"高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡摺⑵骷y(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量...

場(chǎng)效應(yīng)mos管主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。場(chǎng)效應(yīng)mos...

S型數(shù)字源表在一個(gè)半機(jī)架尺寸的儀器中結(jié)合了電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載等功能，這些測(cè)試功能，令S型觸摸屏數(shù)字源表具有I-V特性測(cè)試系統(tǒng)、曲線追蹤儀和...

場(chǎng)效應(yīng)mos管主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。場(chǎng)效應(yīng)mos...

太陽(yáng)能電池在使用前我們需要對(duì)它的一些性能參數(shù)做一個(gè)測(cè)試了解。對(duì)于太陽(yáng)能電池片的測(cè)試，我們一般測(cè)試電池的開路電壓VOC、短路電流ISC、較大功率Pmax、填充因子...

GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。射頻器件小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試脈沖源表認(rèn)...

雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)部增益的光電二極管,其原理類似于光電倍增管。在加上一個(gè)較高的反向偏置電壓后(在硅材料中一般為100-200V),利用電離碰撞...

直流3A半導(dǎo)體特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出...

普賽斯10A脈沖數(shù)字源表，標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，上位機(jī)軟件功能豐富、支持二次開發(fā)集成，可用于大電流脈沖測(cè)試、微弱電流信號(hào)測(cè)試場(chǎng)景，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A

普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400...

普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)B備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,高精密電流源表直流3A半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

光伏電池從研發(fā)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都有不同的測(cè)試需求，主要包括Z大電流IMAX和電壓VMAX、開路電壓Voc、短路電流lsc、填充因子FF以及轉(zhuǎn)換效率η等。太陽(yáng)能電...

光伏電池片I-V測(cè)試高精度源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表光伏電池從研發(fā)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都有不同的測(cè)試需求，主要包括Z大電流IMAX和電壓VMAX、開路電壓Voc、短路電流l...