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更新時間：2023-01-08 09:41:05瀏覽次數(shù)：329次
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蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡 具有出色的探測效率，能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細(xì)節(jié)信息靈
蔡司GeminiSEM系列高對比度、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有出色的探測效率，能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像。無論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性，為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像，提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
運(yùn)用GeminiSEM系列產(chǎn)品，您可輕松獲取真實世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結(jié)果
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，其創(chuàng)新設(shè)計的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;
GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度，使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，充當(dāng)您的得力助手;
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野，可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù)，使FESEM初學(xué)者也能快速掌握;
更強(qiáng)的信號，更豐富的細(xì)節(jié)
GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低;
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm，500 V達(dá)1.0 nm，無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像，為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息;
應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel)，可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;
創(chuàng)新設(shè)計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù)，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺。
更高的速度與靈敏度，更好的成像和分析
GeminiSEM 450更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，簡便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析，同時保持出色的空間分辨率，充當(dāng)您的得力助手。
在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異;
可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像;
經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒，減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程，節(jié)省成像時間，提高工作效率;
無論是不導(dǎo)電樣品、磁性樣品或是其他類型的樣品，無論是高真空或是可變壓力模式，均可實現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析;
更靈活的成像方式
無論是用戶還是初學(xué)者，GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行*大視野范圍成像的樂趣，并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現(xiàn)。
得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能，可實現(xiàn)快速、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像;
創(chuàng)新設(shè)計的高分辨率電子槍模式，為對磁性樣品、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;
蔡司獨樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器，在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像;
NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度、高分辨成像。
| 基本規(guī)格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
|---|---|---|---|
| 熱場發(fā)射電子槍，穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h | |||
| 加速電壓 | 0.02 - 30 kV | ||
| 探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
| （100 nA配置可選） | （100 nA或300 nA配置可選） | （100 nA配置可選） | |
| 存儲分辨率 | 達(dá)32k × 24k 像素 | ||
| 放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
| 標(biāo)配探測器 | 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器 | ||
| 樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器 | |||
| 可選配的 項目 | 鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器 | ||
| - | 角度選擇背散射探測器 | 角度選擇背散射探測器 | |
| 環(huán)形STEM探測器（aSTEM 4） | |||
| EDS能譜儀 | |||
| EBSD探測器(背散射電子衍射) | |||
| NanoVP可變壓力模式 | |||
| 高效VPSE探測器（包含在NanoVP可變壓力選件中） | |||
| 局部電荷中和器 | |||
| 可訂制特殊功能樣品臺 | |||
| 環(huán)形背散射電子探測器 | |||
| 陰極射線熒光探測器 | |||
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