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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司

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鹵素?zé)鬜TP退火爐

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹：鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇

詳細(xì)介紹

詳情介紹：

鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.

鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色：

? 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr

? *高3路氣體（MFC控制）

? 沒有交叉污染，沒有金屬污染

真實(shí)基底溫度測量技術(shù)介紹:

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實(shí)的溫度，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

鹵素?zé)?span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實(shí)的溫度，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測量。

技術(shù)參數(shù)：

基片尺寸	6英寸
基片基座	石英針（可選配SiC涂層石墨基座）
溫度范圍	150-1000℃
加熱速率	10-150℃/S
溫度均勻性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
溫度控制精度	≤ ±3℃
溫度重復(fù)性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
氣路供應(yīng)	標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路）
退火持續(xù)時(shí)間	≥35min@1250℃
溫度控制	快速數(shù)字PID控制
尺寸	870mm650mm620mm

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：

離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等

關(guān)鍵詞：PID 觸摸屏熱電偶

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