FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡

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更新時間：2022-10-29 10:27:23瀏覽次數(shù)：281次

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上海禹重實業(yè)有限公司

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產(chǎn)品簡介

FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡該產(chǎn)品是世界上*款可以對有機材料、基板、多孔材料、塑料以及高聚物材料等有電荷積累的樣品和/或污染性樣品進行超高分辨表征的低真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FEG-SEM）。作為FEI公司市場的眾多設(shè)備中的一員，Nova NanoSEM為用戶在納米研究、開發(fā)與生產(chǎn)的相關(guān)工作提供了更多的可能。

詳細介紹

FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡該產(chǎn)品是世界上*款可以對有機材料、基板、多孔材料、塑料以及高聚物材料等有電荷積累的樣品和/或污染性樣品進行超高分辨表征的低真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FEG-SEM）。作為FEI公司市場的眾多設(shè)備中的一員，Nova NanoSEM為用戶在納米研究、開發(fā)與生產(chǎn)的相關(guān)工作提供了更多的可能。
FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡的出現(xiàn)為那些非導電的以及有污染的納米材料研究和們帶來了新的表征手段。與NanoSEM同時發(fā)布的FEI Helix探測技術(shù)將浸入式透鏡和低真空掃描電鏡兩種技術(shù)成功地組合在一起，這在場發(fā)射掃描電鏡的歷*還是*次。在給用戶帶來超高分辨率的同時，還能在低真空環(huán)境下有效地抑制非導電材料的電荷積累效應。Nova NanoSEM的這種新技術(shù)還可以有效地抑制由前道樣品處理過程所引起的電子束誘導污染。
除了低真空條件下二次電子和背散射電子成像以外，Nova NanoSEM還具有浸入式透鏡的技術(shù)和FEI所*的使用電子束進行納米結(jié)構(gòu)沉積的氣體化學技術(shù)，所有的這些特點使之成為納米結(jié)構(gòu)與納米材料是研究領(lǐng)域中zui*、的掃描電鏡
技術(shù)參數(shù)
1. 分辨率
高真空模式 1.0nm @ 15kV
1.8nm @ 1kV
0.8nm @ 30kV(STEM探測器)
低真空模式 1.5nm @ 10kV(Helix探測器)
1.8nm @ 3kV(Helix探測器)
2. 加速電壓 200V - 30kV,連續(xù)可調(diào)
3. 電子束流范圍 0.3pA - 100nA, 連續(xù)可調(diào)
4. 樣品臺移動范圍
Nova NanoSEM 230: X=Y=50mm
Nova NanoSEM 430: X=Y=100mm
Nova NanoSEM 630: X=Y=150mm
主要特點
1. 超高分辨率Schottky場發(fā)射電子槍
2. wei一的超高分辨率低真空場發(fā)射掃描電鏡. 具有高真空和低真空(<200Pa)兩種真空模式.
3. 對容易污染、容易電荷積累的納米材料和納米器件進行觀察和分析
4. 無油真空系統(tǒng)
5. 可選配電子束曝光、電子束誘導沉積等納米設(shè)計/加工功能
6. FEI公司基于Windows XP的-xT用戶界面