產(chǎn)品簡介
光伏型InSb銻化銦探測(cè)器是由使用單晶材料的mesa技術(shù)形成的p-n結(jié)。該工藝生產(chǎn)的光電二極管高，在1μm至5.5μm波長范圍內(nèi)具有優(yōu)異的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）探測(cè)器，它們的性能可以通過減少背景噪聲（冷卻FOV停止）或光譜（冷卻干擾濾波器）來增強(qiáng)。
產(chǎn)品介紹
光譜特性
光伏效應(yīng)是當(dāng)特定波長的輻射入射到p-n結(jié)上時(shí)，p-n結(jié)上產(chǎn)生的電勢(shì)。當(dāng)光子通量照射結(jié)時(shí)，如果光子能量超過禁帶能量，就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。
電場(chǎng)將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。該過程使p區(qū)為正，n區(qū)為負(fù)，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示。它由一個(gè)信號(hào)和噪聲電流發(fā)生器以及一個(gè)電阻和電容項(xiàng)組成。
當(dāng)背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時(shí)，探測(cè)器應(yīng)反向偏置，使其回到工作點(diǎn)：零電壓。
這可以通過使用匹配的前置放大器來實(shí)現(xiàn)，比如我們的IAP-1000IS。探測(cè)器前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲限制模式下運(yùn)行。需要雙輸出電源。
Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors
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Model Number | FOV=60O, (λpk,1000,1) | Std. Pkg. | Std. Window | Active Area Element (mm) | D* (cmHz1/2W-1) | Responsivity (λp) | Resistance (Rd) (Ω) | Capacitance (Cd) (pF) | Short Circuit Current Isc (µA) | Open Circuit Voltage Vcc (mV) | Operating Temp. (K) | IS-0.25 | q.25/.25x.25 | > 1.0E11 | > 3 A/W | 1000K | 70 | 0.9 | 80
to
125 | 77 | MSL-8
MSL-12
or
MDL-8
MDL-12 | Sapphire | IS-0.5 | q.5/.5x.5 | 500K | 100 | 2 | IS-1.0 | q1/1x1 | 300K | 350 | 8 | IS-2.0 | q2/2x2 | 100K | 1500 | 30 | MSL-8 Side Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MSL-12 Side Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time | MDL-8 Down Looking Metal Dewar---8 Hour Hold Time MDL-12 Down Looking Metal Dewar---12 Hour Hold Time |
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免費(fèi)會(huì)員
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
