LED芯片是半導(dǎo)體發(fā)光器件LED的核心部件，LED放光的原理主要在于LED芯的P-N結(jié)。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體晶片是由兩部分組成。一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就就形成了一個(gè)P-N結(jié)（LED電視）。

當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形式發(fā)出能量，而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的（LED顯示器）。

一、LED防爆燈芯片的特點(diǎn)：

1、四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。

2、信賴(lài)性?xún)?yōu)良。

3、應(yīng)用廣泛。

4、安全性高。

5、壽命長(zhǎng)。

二、LED防爆燈芯片的重要參數(shù)：

1.LED芯片正向工作電流If：

它是指發(fā)光二極體正常發(fā)光時(shí)的正向電流值。在實(shí)際使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇IF在0.6·IFm以下。

2.正向工作電壓VF：

參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時(shí)測(cè)得的。發(fā)光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時(shí)，VF將下降。

3.LED芯片V-I特性：

發(fā)光二極體的電壓與電流的關(guān)系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時(shí)，電流極小，不發(fā)光。當(dāng)電壓超過(guò)某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。

4.發(fā)光強(qiáng)度IV：

發(fā)光二極體的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線(對(duì)圓柱形發(fā)光管是指其軸線)方向上的發(fā)光強(qiáng)度。若在該方向上輻射強(qiáng)度為(1/683)W/sr時(shí)，則發(fā)光1坎德拉(符號(hào)為cd)。由于一般LED的發(fā)光二極管強(qiáng)度小，所以發(fā)光強(qiáng)度常用燭光(坎德拉,mcd)作單位。

5.LED的發(fā)光角度：

-90°-+90°

6.LED芯片光譜半寬度Δλ:

它表示發(fā)光管的光譜純度。

7.半值角θ1/2和視角：

θ1/2是指發(fā)光強(qiáng)度值為軸向強(qiáng)度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。

8.全形：

根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。

9.視角：

指LED發(fā)光的大角度，根據(jù)視角不同，應(yīng)用也不同，也叫光強(qiáng)角。

10.半形：

法向0°與大發(fā)光強(qiáng)度值/2之間的夾角。嚴(yán)格上來(lái)說(shuō)，是大發(fā)光強(qiáng)度值與大發(fā)光強(qiáng)度值/2所對(duì)應(yīng)的夾角。LED的封裝技術(shù)導(dǎo)致大發(fā)光角度并不是法向0°的光強(qiáng)值，引入偏差角，指得是大發(fā)光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的角度與法向0°之間的夾角。

11.LED芯片大正向直流電流IFm：

允許加的大的正向直流電流。超過(guò)此值可損壞二極體。

12.大反向電壓VRm：

所允許加的大反向電壓即擊穿電壓。超過(guò)此值，發(fā)光二極體可能被擊穿損壞。

13.LED芯片工作環(huán)境topm:

發(fā)光二極體可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二極體將不能正常工作，效率大大降低。

14.允許功耗Pm:

允許加于LED兩端正向直流電壓與流過(guò)它的電流之積的大值。超過(guò)此值，LED發(fā)熱、損壞。