IGBT簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是一三極管。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 絕緣柵雙極型功率管 是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。 igbt是vmos和bjt組成，vmos是V型場(chǎng)效應(yīng)管，電壓驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，但是輸入電容大， igbt是voms在前，bjt在后，好處是在高壓大電流應(yīng)用的時(shí)候，后級(jí)的bjt壓降小，導(dǎo)通電阻的，效率高 非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域 IGBT器件將不斷開拓新的應(yīng)用領(lǐng)域，為節(jié)能、節(jié)材，為新能源、工業(yè)自動(dòng)化(高頻電焊機(jī), 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應(yīng)加熱)提供了新的商機(jī)。
IGBT模塊是一種電壓控制器件，它的集電極（C極）和發(fā)射極（E極）之間導(dǎo)通與否，取決于控制極（G極）與發(fā)射極（E極）之間的電壓信號(hào)。
用萬(wàn)用表可以粗略地判斷IGBT管是否已經(jīng)損壞，正常的IGBT模塊的情況如下：
接入正向控制電壓
將萬(wàn)用表的黑表筆接至IGBT的集電極（C極），紅表筆接至IGBT的發(fā)射極（E極），同時(shí)，在控制極（G極）與發(fā)射極（E極）之間接入正向電壓。這時(shí)，IGBT的C-E極之間應(yīng)該是導(dǎo)通的。
撤銷控制電壓
撤銷G-E極間的正向電壓，因?yàn)镚－E極間的阻抗很大，控制極上的電荷不能立即消失，故在一段時(shí)間內(nèi)，C－E極之間將保持導(dǎo)通狀態(tài)。
接入反向控制電壓
在G-E極之間接入反向電壓，則IGBT的集電極（Ｃ極）與發(fā)射極（E極）之間應(yīng)該是截止的。
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