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      北京萬(wàn)豐興業(yè)科技有限公司

      英飛凌(infineon)FS450R12KE3智能模塊

      時(shí)間:2010-4-21閱讀:2373
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      英飛凌FS450R12KE3智能模塊
      型號(hào):FS450R12KE3
      廠(chǎng)家:英飛凌(infineon)
      封裝:模塊

      為了驗(yàn)證所設(shè)計(jì)的并聯(lián) IGBT 智能模塊,用圖4 所示的 DC/DC 變換裝置進(jìn)行測(cè)試。
      器件參數(shù):
      IGBT 模塊:FS450R12KE3
      輸入電感:120µH/350A
      可以看出,在總電流小于 32 的范圍之內(nèi),并聯(lián) PEBB 模塊中各 IGBT 單元流過(guò)電流的zui大誤差不超過(guò) 10%,這說(shuō)明 IGBT 的并聯(lián)是成功可行的。
      為了滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)對(duì)大電流輸出 IGBT 半橋FS450R12KE3模塊的需求,本文對(duì) IGBT 半橋并聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了仿真
      從應(yīng)用的角度來(lái)看,影響 IGBT 并聯(lián)應(yīng)用的主要因素有:并聯(lián) IGBT 參數(shù)的差異、驅(qū)動(dòng)電路的不一致、散熱不均衡和主電路的布局[1, 4]。隨著 IGBT 器件制造技術(shù)的迅速發(fā)展,NPT 型 IGBT 由于其導(dǎo)通壓降的FS450R12KE3正溫度系數(shù)導(dǎo)致其并聯(lián)應(yīng)用。

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