存儲基地項目相繼落地中國“芯”崛起有望

2017-01-17 08:42:53來源：中國智能制造網(wǎng) 編輯：未聞花名關鍵詞：存儲器存儲芯片集成電路閱讀量：43133

導讀：存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額大的集成電路產(chǎn)品。

　　【中國智能制造網(wǎng) 國內新聞】存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額大的集成電路產(chǎn)品。為推動國內存儲力量的崛起，我國存儲器基地項目相繼落地。

存儲基地項目相繼落地中國“芯”崛起有望

　　近幾年，隨著PC、數(shù)據(jù)中心服務器、平板、智能手機和其他設備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個的高度。但坦白說，僅憑中國目前的技術儲備，暫時無法撐起中國的存儲野心。

　　加之后續(xù)物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應用的大量興起，存儲需求將會持續(xù)攀升，對于中國來說，如何迅速獲得核心技術，就成為中國存儲產(chǎn)業(yè)關注的首要問題。另外，如何籠絡一批經(jīng)驗足夠豐富的存儲相關工程師，以撐起其發(fā)展的野心也十分關鍵。

　　為推進國內存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，夯實基礎，我國開展了一系列項目建設。日前，總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后，年產(chǎn)值將超過100億美元，實現(xiàn)我國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破。

　　此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設3座單座潔凈面積大的3D　NAND　FLASDH　FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　據(jù)介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設計、技術研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展。

　　無獨有偶，近日中電?？荡鎯π酒邪l(fā)及中試基地項目開工，這也是青山湖科技城新年開工的個重大項目。該項目投資13億元，占地50畝，計劃今年9月投用；中試運營成功穩(wěn)定后，后期產(chǎn)業(yè)化投資將達到百億元級規(guī)模。

　　“這個項目如果成功，對全國來說都具有重大意義，將彌補國內在存儲芯片領域的空白。”青山湖科技城管委會商務局副局長朱新虎如是說道。

　　據(jù)介紹，磁旋存儲器是一種新型存儲器，其特點為納秒級讀寫速度、極高重寫次數(shù)、掉電數(shù)據(jù)不丟失、極好的抗輻射和抗惡劣環(huán)境能力、能耗低等。直白點說，這是一個新的技術制高點。為此，中電?？党闪⒘撕？雕Y拓科技有限公司，全力推動以磁旋存儲器為代表的存儲芯片開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，這也是此次建設項目的意義所在。

　　據(jù)悉，海康馳拓的研發(fā)團隊，由多位在信息存儲芯片設計與制造領域有著豐富經(jīng)驗的“國千”和“省千”專家，成員均來自的半導體設計及生產(chǎn)廠商、存儲業(yè)務公司或是規(guī)模大的非私營信息存儲技術研究機構，掌握著信息存儲器件產(chǎn)業(yè)的相關核心技術。

　　劉波博士告訴記者，吸引和凝聚自旋電子技術、微電子技術和芯片設計技術的人才是項目成功的關鍵所在。該項目落地杭州，就是看重杭州的文化和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)環(huán)境對人才的吸引力，“人才對我們來說是重要的。”

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