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【中國智能制造網 企業(yè)動態(tài)】自1980年代之后，韓國半導體業(yè)才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造，也即DRAM的研發(fā)。
三星電子在存儲器方面的成功,有外在因素，如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導體的反傾銷策略等，顯然三星電子內在因素起著決定性的作用。
三星半導體的啟步
韓國半導體在1974年才開始啟步,那時韓國正在推行一種叫“新社會運動”。韓國半導體工業(yè)的個fab,叫韓國半導體Puchon廠,建于1974年10月。由于開張就面臨財務危機，同年12月,僅生存三個月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投資兼并,后被并入三星中。
自1980年代之后,韓國半導體業(yè)才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造,也即DRAM的研發(fā)。
64K DRAM的研發(fā)成功,對于韓國半導體業(yè)具有里程碑意義,也是邁向存儲器強國的步。在那時三星電子的科研工作者,日以繼夜,努力追趕,放棄一切節(jié)假日休息,靠的是一股精神及志氣。
在64K DRAM研發(fā)中，韓國非常清楚自已與先進國家之間的技術(1.5微米)差距為4年半，需要一步一步地追趕，在256K DRAM(1.2微米)時這個差距己縮短為3年。在1989年10月時三星已經成功開發(fā)出16M DRAM(采用0,25微米技術),它己于任何一家制造商。
也即三星電子從1983年開發(fā)存儲器,到1989年的16M DRAM研發(fā)成功,僅利用6年的時間,前進了5代DRAM的技術,使三星電子一躍成為先進的存儲器制造商。
三星電子從1983年開始DRAM的研發(fā)，其中1987年就實現(xiàn)次盈利，一直到1993年16M DRAM的量產,奠定了它在存儲器霸主的地位。
它為關鍵的決策是三星在1993年時就大膽地投資興建8英寸硅片生產線來生產DRAM。在當時6英寸硅片是主流地位,如英特爾與臺積電分別于1992年及1996年才興建它們的條8英寸生產線。因為當時投資一條8英寸生產線的費用高達10000億韓元(相當于10億美元以上)風險是很大。
1994年是韓國半導體工業(yè)的轉折點,三星首先發(fā)布首塊256M DRAM。當時256M DRAM意味著在手指甲大小的芯片上集成2.56億個晶體管及2.56億個電容。
為了超過日本半導體,三星電子在開發(fā)64M DRAM的同時就己經組建256M DRAM研發(fā)團隊。70位研究人員在Hwan Chang-Kyu領導下努力奮戰(zhàn),經過兩年的努力終于在1994年8月29日研制成功塊256M DRAM芯片。
非常有興趣的是批樣品就實現(xiàn)了全功能，所以檢驗及測量的次數(shù)反復達10次之多，生怕有誤差。由此奠定了在存儲器方面韓國超過日本的基礎。
三星電子成功的原因初探
1980年代后韓國政府改變半導體產業(yè)政策,轉向扶持DRAM,此時三星半導體開始獲得政府支持。當時韓國政府組織“官民一體”的DRAM共同開發(fā)項目,也是通過政府的投資來發(fā)展DRAM產業(yè)。
進入DRAM市場初期,三星電子首先向當時遇到資金問題的美光(Micron)公司購買64K DRAM技術，之后自已開始開發(fā)256KDRAM。為了提高技術,這時三星半導體用高薪聘請在美國半導體公司工作過的韓國人，工資比總裁高4-5倍。
另外，三星在美國建立研發(fā)中心，并配置相同的生產設備，讓這些高薪人員來培訓本土的工程師。然后經過培訓后的工程師再回到本部，日以繼夜地工作，很快三星在DRAM方面超過日本。
再有一點非常關鍵,在1993年半導體市場轉弱,但是三星采用反周期的投資策略,加大投資DRAM建8英寸生產線。
1984年9月三星推出64K DRAM,但是由于DRAM價格迅速下滑,從1984年初的4美元/片,下降到1985年的30美分/片。而此時三星的生產成本是1.3美元/片。到1986年底,三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空。
由于DRAM市場不景氣,Intel等美國公司退出存儲器市場,日本公司也縮減投資規(guī)模和生產能力。由于三星的反周期投資，繼續(xù)擴大產能,并開發(fā)更大容量的DRAM。當1987年產業(yè)出現(xiàn)轉機時，加上美國政府發(fā)起對于日本半導體業(yè)的反傾銷訴訟案,美國政府和日本企業(yè)達成自動出口限制協(xié)議。由于日本企業(yè)減少向美國出口,導致DRAM價格回升,三星開始實現(xiàn)盈利。
三星是從1983年開始投資半導體，搞存儲器。那時韓國的半導體遠沒有目前的先進,有人認為韓國有勞動力成本低的優(yōu)勢。實際上當時在工廠中作操作的人員, 大部分是農村來的婦女,文化程度并不高，但是素質很好,她們的工作十分認真與精細。
三星經過若干年后能成為存儲器業(yè)的者,主要是在韓國政府傾國力的支持下加上強有力的領導集體,包括三星的前董事長李健熙等,能獻身于事業(yè)。除此之外，企業(yè)上下有股氣勢,一定要趕超日本的決心和信念,再加上有一批由美國培訓回來的流工程師，由于它們奮發(fā)圖強的加速發(fā)展半導體工藝,才取得如此輝煌的成績。
還有一個原因，如東芝與其它的日本公司，它們的研發(fā)中心與制造基地分別位于不同的地方,相距甚遠。而三星電子的研發(fā)中心與制造部分在同一地方，既節(jié)省時間與成本，又便于研發(fā)與制造之間相互的溝通。
三星電子還具有另外一個優(yōu)勢是有自己的終端電子產品。不僅有半導體,還有面板,電視等。這樣垂直式的產業(yè)鏈有利于整合。既有利于以快速度反映市場的需求,也有利于終端產品與芯片各環(huán)節(jié)之間的協(xié)調。
后語
三星電子在存儲器方面的成功,有外在因素,如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導體的反傾銷策略等，顯然三星電子內在因素起著決定性的作用。
尤其是三星電子有一股氣勢,一定要成功超過日本,上下齊心合力,人的因素起了關鍵作用。眾所周知，DRAM的制造決定于成品率與產品成本，所以工藝生產線上每一步操作的成品率起著十分重要作用。再加上它的正確策略，在美國搞研發(fā)中心，采用與韓國制造同樣的設備，以及用高薪聘請在美作存儲器的韓國工程師，并在美國培訓人材后，再回到韓國工作。另外在存儲器周期性下降時，它采用反周期的加大投資，積極擴充產能等。
內在與外在的因素綜合在一起,推動了三星電子的存儲器業(yè)成功。同樣分析天時，地利與人和在中國似乎都具備了條件，好象僅是某些地方差了一點點。因此未來中國在突破艱難的存儲器業(yè)制造中必須十分清醒，僅擁有大市場與足夠的投資還不一定能獲得成功，需要人材的配合，并要有一股氣勢與勇氣，以及技術上的真正過硬。存儲器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功?，F(xiàn)在的盲點是不知道我們的持續(xù)虧損要多久？能否有決心堅持下去，因為通常只有國家意志才有堅持下去的可能性。
(原標題：剖析三星電子在存儲器領域成功的原因)
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