突破存儲芯片發(fā)展四大掣肘 國產(chǎn)化之路將迎新契機
四大特征致使國產(chǎn)化發(fā)展艱難
雖然前景可期,但當前我國存儲芯片仍面臨技術(shù)差距大、行業(yè)市場集中度高、周期性強、資金投入大四大特征,這也致使我國存儲芯片國產(chǎn)化任務(wù)艱巨,國內(nèi)單一企業(yè)力量難以攻克。
技術(shù)差距大。目前,各家存儲廠商對3DNAND的制造工藝都十分保密。當前國內(nèi)NANDFLASH、DRAM制造技術(shù)基本處于缺失狀態(tài)。此外,知識產(chǎn)權(quán)是芯片行業(yè)競爭的利器,但目前存儲芯片幾乎都被巨頭壟斷,無論是武漢新芯,還是福建晉華,其技術(shù)均是依托技術(shù)授權(quán)合作。
行業(yè)市場集中度高。以DRAM市場為例,1970年代起步時候大約40-50家,1990年代末還有14家,到2004年只剩下5家實力較為突出,而如今僅3家就占據(jù)市場90%的份額,已經(jīng)成了Samsung、SKHynix、Micron寡頭壟斷的競爭格局。
周期性強。當存儲行業(yè)處于景氣高漲期,資金充裕時,一家存儲廠商進行產(chǎn)能擴充或者工藝升級,不斷形成了惡性擴產(chǎn)的現(xiàn)象,導(dǎo)致產(chǎn)能過剩,行業(yè)蕭條來臨。而當行業(yè)處于蕭條期時,各大廠商便開始壓縮產(chǎn)能,行業(yè)供需關(guān)系反轉(zhuǎn),價格上升,景氣度開始上揚。
資金投入量大。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,在2015年各半導(dǎo)體公司的資本支出預(yù)算中,Samsung資本支出預(yù)算151億美元,同比增長13%;SKHynix資本支出51億美元,同比增長12%;Micron資產(chǎn)支出38億美元,同比增長186%;其它存儲廠商資本支出20億美元,同比增長43%。2015年,存儲行業(yè)是整體半導(dǎo)體資本支出高的領(lǐng)域,占比達到38%,資金投入量很大。
海外資本輸出放緩 大陸企業(yè)迎良好契機
目前,海外企業(yè)在存儲器領(lǐng)域資本輸出放緩,產(chǎn)出也會相應(yīng)減少,這為大陸企業(yè)帶來良好契機。充沛的資金支持和巨大的內(nèi)需市場,以及業(yè)已形成的本土化集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài),為國內(nèi)企業(yè)進軍存儲器芯片領(lǐng)域提供了發(fā)展基礎(chǔ)。未來五到十年內(nèi),大陸企業(yè)有機會與世界行業(yè)巨頭平起平坐。
但不容忽視的是,存儲器芯片面臨高技術(shù)壁壘和激烈的化競爭。為此,國內(nèi)企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè),不應(yīng)只是簡單追趕,而要更加注重技術(shù)原創(chuàng)和市場創(chuàng)新;應(yīng)做好長期準備,在資金上確保持續(xù)投入;另外,更為關(guān)鍵的是,要在立足自身市場特點的基礎(chǔ)上追求水平。此外,存儲芯片國產(chǎn)化是一項艱巨的工程,除了資金支持外,政府應(yīng)當從人才到產(chǎn)業(yè)鏈配套等領(lǐng)域全面持續(xù)加大對存儲芯片產(chǎn)業(yè)的支持。
銀河證券電子行業(yè)分析師王莉表示,存儲芯片作為國家存儲信息安全關(guān)鍵抓手之一,一旦國產(chǎn)廠商能夠生產(chǎn)制造性能優(yōu)越的存儲芯片,政府將引導(dǎo)眾多廠商采購國產(chǎn)存儲存儲芯片,其國產(chǎn)替代空間巨大。
可以預(yù)見,中國在布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)的步伐將會越來越快,大陸存儲芯片產(chǎn)業(yè)的“炮臺”已經(jīng)搭起,“彈藥”及所有準備工作正緊張有序開展,一旦中國擁有先進Flash和DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)能力并實現(xiàn)自給自足時,存儲芯片的供需體系將被重新洗牌,相信對世界幾大寡頭來說勢必會是一場血雨腥風(fēng)。