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2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了復(fù)蘇的跡象。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計達(dá)到6270億美元，同比增長19%。
然而，在整體增長的背景下，市場卻呈現(xiàn)出明顯的分化格局。
01 復(fù)蘇與內(nèi)卷并存：市場加速分化
一方面，新能源汽車、AI服務(wù)器等高端應(yīng)用需求強(qiáng)勁，尤其是AI市場帶動了AI芯片以及HMB還有AI服務(wù)器電源芯片等相關(guān)芯片需求的快速增長。同時，新能源汽車產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展，進(jìn)一步帶動了碳化硅、高端車規(guī)MCU的需求上升，行業(yè)內(nèi)的先進(jìn)廠商紛紛加碼相關(guān)布局。
另一方面，傳統(tǒng)消費(fèi)市場諸如消費(fèi)電子市場需求持續(xù)疲軟、通訊市場不溫不火、工業(yè)市場更是在持續(xù)下探之中。這一點，從各頭部芯片企業(yè)的財報中可以明顯看出，這些傳統(tǒng)領(lǐng)域的疲軟對行業(yè)整體增長帶來了抑制。
這種全球市場的分化格局深刻影響著半導(dǎo)體行業(yè)。盡管新能源汽車和AI服務(wù)器等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求帶動了一些企業(yè)的增長，但這一趨勢并未普遍惠及所有公司。除少數(shù)專注高端市場的企業(yè)外，大部分芯片廠商在消費(fèi)電子和傳統(tǒng)工業(yè)市場需求疲軟的沖擊下，營收普遍出現(xiàn)下滑。價格競爭的加劇、庫存壓力的持續(xù)，也成為行業(yè)整體復(fù)蘇的掣肘因素。
最后帶來的結(jié)果就是，半導(dǎo)體市場的競爭愈發(fā)的激烈，中低端市場陷入價格戰(zhàn)的泥沼之中，高端市場也在拼技術(shù)突破。
對于中國半導(dǎo)體企業(yè)而言，挑戰(zhàn)尤為明顯。一方面，高端市場的技術(shù)壁壘仍然嚴(yán)峻，中國企業(yè)在先進(jìn)制程、EDA工具、半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域尚未完全突破，導(dǎo)致在AI芯片等高附加值市場仍處于跟隨態(tài)勢。另一方面，中低端市場競爭日益激烈，全球需求的疲軟進(jìn)一步加劇了國內(nèi)的價格戰(zhàn)，使得盈利空間被不斷壓縮。在這樣的背景下，中國半導(dǎo)體行業(yè)正進(jìn)入一輪深度調(diào)整，行業(yè)競爭格局正在發(fā)生重大變化。
02 IPO遇冷，并購加速，行業(yè)內(nèi)卷加劇
2024年，中國半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深度調(diào)整。從資本市場來看，IPO數(shù)量大幅下降，而并購整合卻明顯增多。這一趨勢反映出行業(yè)進(jìn)入了新一輪的洗牌期，企業(yè)數(shù)量雖仍在增長，但增速已經(jīng)顯著放緩。隨著競爭加劇，中低端市場的價格戰(zhàn)愈演愈烈，利潤空間不斷被壓縮，導(dǎo)致大量企業(yè)在生存線上掙扎。這種內(nèi)卷現(xiàn)象不僅影響了企業(yè)的盈利能力，也使得行業(yè)整體的技術(shù)創(chuàng)新投入受到阻礙。
企業(yè)擴(kuò)張放緩：行業(yè)邁向理性增長
在過去幾年，中國半導(dǎo)體行業(yè)迎來了一輪前所未有的擴(kuò)張期。受國產(chǎn)替代、政策扶持、資金熱潮等多重因素推動，大量初創(chuàng)企業(yè)涌入市場。然而，2024年這一趨勢明顯放緩。
根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2024年國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)達(dá)到3626家，比2023年的3451家僅增加175家。相比前幾年每年新增數(shù)百家的高速增長，如今的增速已經(jīng)大幅下降。這表明，行業(yè)正從早期的粗放式擴(kuò)張向理性競爭轉(zhuǎn)變，企業(yè)生存的門檻也變得越來越高。
資本市場的降溫：IPO銳減，企業(yè)融資難度加大
2024年，中國半導(dǎo)體行業(yè)的IPO熱潮明顯降溫。據(jù)《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》統(tǒng)計，全年僅有10家半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)成功上市，其中芯片設(shè)計公司5家，半導(dǎo)體材料公司3家，半導(dǎo)體設(shè)備公司2家。(相關(guān)閱讀：2024IPO盤點)這一數(shù)據(jù)較2023年大幅縮水，甚至不到前幾年的一半。資本市場的冷靜表明，投資者對半導(dǎo)體行業(yè)的投資邏輯正在發(fā)生變化，過去靠概念融資、借國產(chǎn)替代風(fēng)口上市的時代已然結(jié)束。
▲2024年上市企業(yè)，《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》整理自網(wǎng)絡(luò)
一方面，市場對半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)實力和盈利能力提出了更高要求，簡單依靠市場熱度和政策紅利已不足以支撐企業(yè)獲得融資。另一方面，2023年以來全球半導(dǎo)體市場需求起伏不定，消費(fèi)電子和工業(yè)市場仍未完全恢復(fù)，使得資本市場更加謹(jǐn)慎。許多半導(dǎo)體企業(yè)即便擁有上市計劃，也因盈利能力不佳、市場增長前景不明朗而被迫推遲或取消IPO計劃。
然而，這一趨勢并不意味著資本完全撤離半導(dǎo)體行業(yè)，而是投資邏輯發(fā)生了深刻變化。
未來，資本市場將更加傾向于具備核心技術(shù)壁壘和可持續(xù)盈利能力的企業(yè)，特別是在EDA軟件、半導(dǎo)體設(shè)備、先進(jìn)封裝等國產(chǎn)化率較低的領(lǐng)域，資金支持仍然強(qiáng)勁。同時，政府產(chǎn)業(yè)基金和政策扶持的重點也在向高端制造與自主可控技術(shù)方向傾斜，例如近期多個地方政府設(shè)立的半導(dǎo)體專項基金，均優(yōu)先支持半導(dǎo)體設(shè)備及關(guān)鍵材料國產(chǎn)化項目。這表明，資本市場雖趨于冷靜，但真正具備技術(shù)實力的企業(yè)仍有融資機(jī)會，而缺乏競爭力的公司將更難獲得投資。
并購潮涌現(xiàn)：行業(yè)進(jìn)入整合期
在IPO降溫的同時，并購整合成為 2024 年中國半導(dǎo)體行業(yè)的重要趨勢。許多企業(yè)開始通過收購來擴(kuò)展產(chǎn)品線、提升技術(shù)能力或整合產(chǎn)業(yè)鏈，以增強(qiáng)市場競爭力。例如，兆易創(chuàng)新收購蘇州賽芯，拓寬其產(chǎn)品組合;晶豐明源收購易沖科技，拓展電源管理芯片產(chǎn)品線;匯頂科技收購云谷英，強(qiáng)化其在觸控和生物識別芯片方面的競爭優(yōu)勢。此外，華潤微收購長電科技，通過整合制造和封測資源，提升整體供應(yīng)鏈的自主可控能力。
這一波并購潮的背后，反映出行業(yè)正在從“單打獨斗”轉(zhuǎn)向“抱團(tuán)取暖”。隨著市場競爭的加劇，中小型企業(yè)生存壓力陡增，許多公司選擇通過并購加入更大的生態(tài)體系，以獲取更多資源和技術(shù)支持。而大型企業(yè)則希望通過收購加速業(yè)務(wù)布局，填補(bǔ)產(chǎn)品線空白，提高市場占有率。在這個過程中，市場的集中度也在逐步提升，部分領(lǐng)域的競爭格局開始向頭部企業(yè)聚攏。
03 內(nèi)卷持續(xù)升級，半導(dǎo)體行業(yè)利潤承壓
行業(yè)競爭的加劇帶來了日益嚴(yán)重的內(nèi)卷現(xiàn)象，價格戰(zhàn)成為許多企業(yè)的生存手段，尤其是在中低端市場。廠商們?yōu)榱藸帄Z市場份額，不惜采用低價競爭策略，使得行業(yè)利潤率持續(xù)走低。MCU市場競爭尤為激烈，由于國產(chǎn)替代政策推動大量國內(nèi)MCU廠商崛起，市場供給過剩，價格戰(zhàn)進(jìn)入極限，部分企業(yè)甚至在“以虧損換市場”。
類似的情況也出現(xiàn)在功率半導(dǎo)體和模擬芯片市場，MOSFET和IGBT領(lǐng)域的競爭進(jìn)入白熱化，部分廠商為了提升出貨量，以極低價格搶占市場，導(dǎo)致整個行業(yè)的利潤率大幅下滑。在模擬芯片市場，電源管理芯片、放大器、ADC/DAC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域大量企業(yè)生產(chǎn)高度相似的產(chǎn)品，市場供大于求，許多企業(yè)只能依靠低價競爭生存，甚至不得不接受極低的毛利率。
隨著行業(yè)內(nèi)卷的加劇，半導(dǎo)體企業(yè)的盈利能力正在遭受嚴(yán)重侵蝕。由于價格戰(zhàn)不斷壓縮利潤空間，企業(yè)的研發(fā)投入也受到了影響。部分企業(yè)削減了研發(fā)預(yù)算，將資金投入到市場營銷和低成本生產(chǎn)，導(dǎo)致技術(shù)創(chuàng)新的速度放緩。如果企業(yè)長期依賴價格戰(zhàn)生存，技術(shù)突破將變得越來越難，最終只會陷入低端市場的惡性循環(huán)。
04 技術(shù)創(chuàng)新突圍：先進(jìn)制程、AI芯片、三代半導(dǎo)體成破局關(guān)鍵
2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來了技術(shù)創(chuàng)新的高峰期，多個關(guān)鍵領(lǐng)域取得了突破性的進(jìn)展。從芯片制程的演進(jìn)到AI計算架構(gòu)的優(yōu)化，從先進(jìn)封裝技術(shù)的升級到碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料的普及，這一年見證了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的深度變革。
在芯片制造領(lǐng)域，臺積電、三星和英特爾持續(xù)在先進(jìn)制程上投入巨資，力爭在2納米以下的節(jié)點上取得領(lǐng)先優(yōu)勢。臺積電的3納米制程已進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，優(yōu)化后的N3E工藝在功耗和晶體管密度上較前代產(chǎn)品進(jìn)一步提升，同時其2納米GAAFET技術(shù)也已進(jìn)入試生產(chǎn)階段，有望在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。而英特爾則依托RibbonFET和PowerVia等革命性架構(gòu)，在Intel 20A工藝上取得突破，使其在超低功耗計算和高性能AI芯片領(lǐng)域重新站穩(wěn)腳跟。與此同時，ASML的高NA EUV光刻機(jī)終于迎來商用，首批設(shè)備交付英特爾和臺積電，進(jìn)一步推動了半導(dǎo)體制造能力的極限。
AI計算需求的爆發(fā)催生了全新的芯片架構(gòu)和設(shè)計理念。英偉達(dá)在2024年推出了Blackwell架構(gòu)的GPU，憑借Chiplet(小芯片)設(shè)計和HBM4高帶寬存儲的結(jié)合，使得AI推理和訓(xùn)練性能較前代提升超過40%。AMD和英特爾也在AI芯片市場發(fā)力，尤其是采用3D封裝技術(shù)的大規(guī)模集成AI加速器，使得數(shù)據(jù)中心和邊緣計算的能效比大幅提升。
此外，AI的引入，使MCU市場也煥發(fā)了新的活力。德州儀器(TI) 在采訪中表示：“我們在C2000系列中首次集成了神經(jīng)處理單元(NPU)，推出了TMS320F28P55X MCU，顯著提升了電弧檢測和電機(jī)控制的智能化能力。該技術(shù)在馬達(dá)驅(qū)動故障檢測中的準(zhǔn)確率高達(dá)99%，推動了工業(yè)控制系統(tǒng)的智能化。”
封裝技術(shù)的突破在2024年尤為顯著。臺積電的SoIC 3D封裝技術(shù)被廣泛應(yīng)用于高性能計算和AI芯片之中，通過堆疊不同功能的芯片單元，使整體功耗降低同時提高數(shù)據(jù)吞吐量。三星電子則推出了X-Cube 3D堆疊封裝，優(yōu)化了HBM存儲的堆疊結(jié)構(gòu)，使數(shù)據(jù)中心和GPU芯片的存儲帶寬提升至新的高度。德州儀器也推出了MagPack磁性封裝技術(shù)，使電源模塊尺寸縮小23%，功率密度提高了一倍。這是提升電源效率的重要突破。”
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的應(yīng)用成為企業(yè)擺脫低端市場競爭的突破口。安森美(onsemi) 相關(guān)負(fù)責(zé)人在采訪中表示：“我們的EliteSiC M3e MOSFET技術(shù)，能夠?qū)?dǎo)通損耗降低30%，關(guān)斷損耗降低多達(dá)50%，為汽車電氣化應(yīng)用提供更高效的功率轉(zhuǎn)換方案。”
英飛凌在去年推出了全球首個300nm GaN晶圓技術(shù)。與此同時，英飛凌強(qiáng)調(diào)了其在全球推出的最薄20μm硅功率晶圓的重要性。“相較于傳統(tǒng)40-60μm厚度的晶圓，我們的20μm晶圓基板電阻降低了50%，提升了15%以上的功率轉(zhuǎn)換效率。適用于AI數(shù)據(jù)中心，以及消費(fèi)、電機(jī)控制和計算應(yīng)用。”
半導(dǎo)體制造設(shè)備的國產(chǎn)化也取得了新進(jìn)展，尤其是在光刻機(jī)和關(guān)鍵制造工藝設(shè)備上。上海微電子成功交付首臺28納米DUV光刻機(jī)，為國內(nèi)成熟制程芯片制造提供了關(guān)鍵支持。而在刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)，國產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)鏈也正在加速完善，部分設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入14納米及以下工藝的驗證階段，進(jìn)一步推動了國內(nèi)半導(dǎo)體自主供應(yīng)鏈的發(fā)展。
上海貝嶺在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，推出了高精度的BL0971直流計量芯片，在多個高增長市場表現(xiàn)優(yōu)異。技術(shù)負(fù)責(zé)人表示：“測量精度可達(dá)0.1%以內(nèi)，產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于智能充電樁、光伏儲能和服務(wù)器電源領(lǐng)域。”
2024年，半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新已然走向新的高度。從制程工藝的演進(jìn)，到AI計算架構(gòu)的升級，再到Chiplet封裝和碳化硅、氮化鎵材料的成熟應(yīng)用，每一項技術(shù)的突破都在重塑半導(dǎo)體行業(yè)的未來。這一系列創(chuàng)新不僅幫助企業(yè)規(guī)避了中低端市場的價格戰(zhàn)，還提升了它們在高附加值市場中的競爭力。
05 市場競爭策略：規(guī)避低端價格戰(zhàn)，打造差異化競爭優(yōu)勢
在低端市場價格競爭日益激烈的情況下，半導(dǎo)體企業(yè)正逐步調(diào)整市場策略，通過高附加值市場布局、產(chǎn)品差異化、組合化設(shè)計、生態(tài)合作等方式，規(guī)避價格戰(zhàn)，提升市場競爭力。
首先，聚焦高端市場，提升盈利能力。安森美相關(guān)負(fù)責(zé)人在采訪中提到：“我們憑借在碳化硅功率器件的領(lǐng)先優(yōu)勢，已經(jīng)與多家汽車廠商及一級供應(yīng)商(Tier 1) 達(dá)成合作，例如為大眾集團(tuán)提供可擴(kuò)展至所有電源平臺的SiC集成模塊解決方案，并與電裝在自動駕駛和高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)領(lǐng)域深化長期合作。”
英飛凌則通過硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的完整產(chǎn)品布局，在AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源管理市場取得突破。“目前我們已經(jīng)與主要GPU制造商和多個超級計算中心展開合作，預(yù)計到2025年，AI業(yè)務(wù)營收將突破5億歐元，并在未來兩年有望突破10億歐元大關(guān)。”企業(yè)負(fù)責(zé)人補(bǔ)充道。
德州儀器代表指出，他們更加注重邊緣AI和汽車電子領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。“我們的邊緣AI技術(shù)在實時響應(yīng)、高效數(shù)據(jù)處理、低功耗等方面有獨特優(yōu)勢，特別是在工業(yè)自動化和機(jī)器人市場拓展了更大份額。而在汽車電子領(lǐng)域，我們認(rèn)為軟件定義車輛(SDV) 和區(qū)域架構(gòu) 將是未來的主要趨勢，公司將在這些領(lǐng)域加大投入。”
其次，產(chǎn)品差異化設(shè)計以及產(chǎn)品組合設(shè)計成為突圍關(guān)鍵。與其在低端市場進(jìn)行價格競爭，企業(yè)更傾向于推出具有獨特技術(shù)優(yōu)勢的產(chǎn)品。例如，上海貝嶺表示其2024年物聯(lián)網(wǎng)單相計量芯片出貨量約7千萬顆，在國內(nèi)智能家居市場占有率第一，約70%;在國內(nèi)智能充電樁/充電槍等市場占有率第一，約80%，智能家具、充電樁/充電槍、光伏儲能、服務(wù)器電源等各領(lǐng)域頭部企業(yè)都有使用，獲得行業(yè)高度認(rèn)可。
德州儀器的全新 F29H85x 系列，其處理位寬從32位躍升至64位，并配備了超長指令級架構(gòu)，使得單個指令周期最多能并行完成8條指令。這一改進(jìn)使得基礎(chǔ)運(yùn)算性能相較于C28提高了2倍以上。
此外，安森美通過T10 PowerTrench®系列與EliteSiC 650V MOSFET的組合優(yōu)化電源管理性能，并收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)業(yè)務(wù)，進(jìn)一步完善EliteSiC電源產(chǎn)品組合。
最后，生態(tài)合作成為市場粘性的關(guān)鍵因素。安森美與大眾汽車、電裝等企業(yè)建立長期合作，共同研發(fā)主驅(qū)逆變器以及自動駕駛和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)，提高市場粘性。英飛凌通過與天岳先進(jìn)、天科合達(dá)兩家國內(nèi)SiC供應(yīng)商合作，增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，提高國內(nèi)市場競爭力。
這些合作不僅增強(qiáng)了企業(yè)的供應(yīng)鏈穩(wěn)定性，也降低了因價格戰(zhàn)導(dǎo)致的市場波動，使企業(yè)能夠在高端市場保持領(lǐng)先地位。
06 全球化布局：半導(dǎo)體企業(yè)加速出海，開拓國際市場新機(jī)遇
然而，單靠技術(shù)創(chuàng)新和市場差異化并不足以完全規(guī)避國內(nèi)市場的競爭壓力。在國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈高度集中、產(chǎn)品競爭日益激烈的背景下，越來越多的中國半導(dǎo)體企業(yè)開始選擇“出海”，通過拓展海外市場尋找新的增長空間。數(shù)據(jù)顯示，2024年中國集成電路出口總額達(dá)到11351億人民幣，同比增幅超過18.7%，首次突破萬億大關(guān)。
國際市場的旺盛需求，為中國芯片企業(yè)提供了更廣闊的增長空間。尤其是在高附加值市場，全球?qū)β拾雽?dǎo)體、先進(jìn)封裝及智能芯片產(chǎn)品的需求持續(xù)增長，使得中國企業(yè)在國際市場上的競爭力不斷提升。同時，全球供應(yīng)鏈格局的變化也促使更多海外客戶尋求多元化供應(yīng)來源，“中國+1”戰(zhàn)略成為國際制造業(yè)的新趨勢。這為中國企業(yè)提供了進(jìn)入新興市場的機(jī)會，特別是在東南亞、印度、南美和歐洲等地，市場潛力巨大。
在這一趨勢下，中國芯片企業(yè)正加快國際化步伐，采用多種策略來提升海外市場占有率。部分企業(yè)通過設(shè)立海外研發(fā)中心和銷售網(wǎng)絡(luò)，增強(qiáng)本地化運(yùn)營能力;部分企業(yè)則與國際大客戶建立長期合作，確保訂單穩(wěn)定性。同時，全球市場的復(fù)雜性也為企業(yè)帶來了挑戰(zhàn)，諸如貿(mào)易政策、技術(shù)壁壘及市場準(zhǔn)入門檻等問題，都對出海企業(yè)提出了更高要求。因此，精準(zhǔn)的市場分析、合規(guī)化運(yùn)營以及強(qiáng)有力的技術(shù)競爭力，成為企業(yè)能否在海外市場立足的關(guān)鍵。
07 中國半導(dǎo)體突圍：創(chuàng)新驅(qū)動、價值競爭、全球布局
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑的關(guān)鍵階段，中國半導(dǎo)體企業(yè)的下一步行動將決定其未來的競爭地位。
面對技術(shù)壁壘、市場內(nèi)卷和全球競爭，企業(yè)不能再僅靠短期價格戰(zhàn)生存，而必須在技術(shù)創(chuàng)新、生態(tài)合作與全球布局中尋找突破口。是繼續(xù)低端競爭，還是在高端市場占據(jù)一席之地？是依賴內(nèi)需，還是在全球供應(yīng)鏈重塑中搶占先機(jī)？這些問題，將成為決定中國半導(dǎo)體行業(yè)未來發(fā)展的關(guān)鍵。
然而，行業(yè)的突圍之路并非易事。技術(shù)創(chuàng)新是擺脫內(nèi)卷的關(guān)鍵，市場差異化是提升競爭力的方向，國際化布局則是突破增長瓶頸的重要策略。在市場變革和全球競爭日趨激烈的當(dāng)下，中國半導(dǎo)體企業(yè)需要打破慣性思維，深耕技術(shù)、優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，并積極融入全球市場，才能在這場產(chǎn)業(yè)變革中站穩(wěn)腳跟。
2025年及未來，半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局將進(jìn)一步演變。唯有那些真正掌握核心技術(shù)、精準(zhǔn)布局市場，并能在全球化進(jìn)程中保持戰(zhàn)略定力的企業(yè)，才能在復(fù)雜的市場環(huán)境中突圍，實現(xiàn)持續(xù)增長。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來，既充滿挑戰(zhàn)，也孕育著無限可能。
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