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科技是國家強(qiáng)盛之基，創(chuàng)新是民族進(jìn)步之魂。國家電投以創(chuàng)造綠色價值為使命，加速推進(jìn)科技創(chuàng)新研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用，推動產(chǎn)業(yè)升級和高質(zhì)量發(fā)展。即日起，國家電投官微開設(shè)“科技創(chuàng)新”專欄，分享各單位在科技創(chuàng)新領(lǐng)域的最新成果、研發(fā)故事和成功經(jīng)驗，以饗讀者。本期推出國家電投所屬核力創(chuàng)芯的最新成果報道。
近日，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司(以下簡稱“核力創(chuàng)芯”)暨國家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。這標(biāo)志著我國已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補(bǔ)全了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。
氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等多種類型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用，該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴(yán)重制約了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進(jìn)口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破，打破了國外壟斷。
核力創(chuàng)芯在遭遇外國關(guān)鍵技術(shù)及裝備封鎖的不利條件下，堅持自力更生，自主創(chuàng)新，打造新質(zhì)生產(chǎn)力，在不到三年的時間里，突破多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實現(xiàn)了100%自主技術(shù)和100%裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，獲得用戶高度評價。
原標(biāo)題：科技創(chuàng)新|我國半導(dǎo)體制造核心技術(shù)實現(xiàn)突破
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