根據(jù)國家市場監(jiān)督管理總局下達(dá)的國家計量技術(shù)規(guī)范制修訂計劃,全國幾何量長度計量技術(shù)委員會已完成《晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《晶圓級臺階高度凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》《干涉式三維表面形貌測量儀校準(zhǔn)規(guī)范》《光學(xué)陀螺測角儀校準(zhǔn)規(guī)范》和《散目標(biāo)式視覺測量系統(tǒng)校準(zhǔn)規(guī)范》5項計量技術(shù)規(guī)范的征求意見稿。為了使國家計量技術(shù)規(guī)范能廣泛適用和更具可操作性,特向全國有關(guān)單位及專家公開征求意見和建議。
《晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》
晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片指以硅晶圓片為基底,采用化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及原子層沉積(ALD)等方法生長出微納米量級的單層二氧化硅薄膜,主要被測參數(shù)為薄膜厚度,晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片是集成電路產(chǎn)線質(zhì)控的必要器件。
本規(guī)范為首次制定。本規(guī)范適用于晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn),薄膜材料為硅上二氧化硅,校準(zhǔn)方法為激光橢偏儀,同時其他材料的晶圓級薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn)也可以參照本規(guī)范。
《晶圓級臺階高度/凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片校準(zhǔn)規(guī)范》
晶圓級臺階高度/凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片是用來校準(zhǔn)微電子集成電路領(lǐng)域微納表面形貌測量儀的標(biāo)準(zhǔn)器。其基底為硅晶片,通過對其表面氧化膜刻蝕得到臺階結(jié)構(gòu),可適應(yīng)于接觸或非接觸式的各類表面形貌顯微測量裝置。特征結(jié)構(gòu)位于標(biāo)準(zhǔn)片的中心,可通過輔助圖形幫助快速定位。
本規(guī)范為首次制定。本規(guī)范適用晶圓級標(biāo)準(zhǔn)片的校準(zhǔn)。包括晶圓級臺階高度標(biāo)準(zhǔn)片、晶圓級凹槽深度標(biāo)準(zhǔn)片的首次校準(zhǔn)、后續(xù)校準(zhǔn)和使用中檢查。
《干涉式三維表面形貌測量儀校準(zhǔn)規(guī)范》
干涉式三維表面形貌測量儀基于雙光束干涉的原理,經(jīng)樣品表面反射回的參考光與測量光形成干涉條紋,并經(jīng)由CCD采集,經(jīng)過算法重構(gòu)獲得表面形貌,在垂直方向上可以達(dá)到亞納米級的分辨力。
本規(guī)范為首次制定。本規(guī)范適用于干涉式三維表面形貌測量儀的校準(zhǔn),其它基于干涉原理的顯微鏡校準(zhǔn)也可參照本規(guī)范。
《光學(xué)陀螺測角儀校準(zhǔn)規(guī)范》
光學(xué)陀螺測角儀是基于薩格納克效應(yīng)(Sagnac Effect)發(fā)展出來的一種角度測量儀器,陀螺本體,光路內(nèi)藏于殼內(nèi),卡盤下表面與陀螺敏感面平行,通過卡盤安裝在載體工作面上;數(shù)據(jù)采集模塊,通過無線或有線通訊與陀螺本體互聯(lián),可在外部觸發(fā)或內(nèi)部觸發(fā)下實時采集角度測量結(jié)果,測量結(jié)果可傳輸至上位機(jī)顯示或分析。
本校準(zhǔn)規(guī)范為首次發(fā)布。本規(guī)范適用于環(huán)形激光陀螺測角儀和光纖陀螺測角儀的角位置相關(guān)計量性能的校準(zhǔn)。
《散目標(biāo)式視覺測量儀校準(zhǔn)規(guī)范》
散目標(biāo)式視覺測量儀是以散斑為目標(biāo)點,利用數(shù)字相機(jī)獲取散斑的數(shù)字圖像,經(jīng)數(shù)字圖像相關(guān)法運(yùn)算,獲得被測對象表面坐標(biāo)的測量儀器,常用于零件表面變形/應(yīng)變的測量,也稱為全場變形/應(yīng)變測量系統(tǒng),具有非接觸測量、全場測量、動態(tài)測量等特性。
本規(guī)范為首次發(fā)布。本規(guī)范適用于以散斑點為特征點、以數(shù)字圖像相關(guān)法為基本原理的視覺測量儀的校準(zhǔn)。
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