臺積電CEO稱3nm工藝量產(chǎn)正按計劃推進第二代1年后量產(chǎn)

2022-07-17 08:30:30來源：TechWeb.com.cn 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體芯片臺積電閱讀量：24677

導(dǎo)讀：近日，臺積電CEO在財報分析師電話會議上透露臺積電在按計劃推進3nm工藝下半年以可觀的良品率量產(chǎn)，并預(yù)計3nm制程工藝在明年上半年就會為他們帶來營收。

　　7月15日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子6月30日在宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片。

　　而在三星電子的3nm制程工藝開始初步生產(chǎn)芯片之后，臺積電3nm制程工藝的量產(chǎn)進展，也就備受關(guān)注，臺積電的CEO魏哲家，在周四下午的財報分析師電話會議上，也給出了回應(yīng)。

　　臺積電公布的文件顯示，在周四下午的財報分析師電話會議上，魏哲家透露他們在按計劃推進3nm工藝在下半年以可觀的良品率量產(chǎn)。

　　另外，魏哲家在會上還表示，他們預(yù)計3nm制程工藝在明年上半年就會為他們帶來營收，在高性能計算和智能手機應(yīng)用的推動下，產(chǎn)能在明年將平穩(wěn)提升。

　　同此前已量產(chǎn)的7nm和5nm一樣，臺積電的3nm工藝也會有第二代(N3E)。魏哲家在財報分析師電話會議上也透露，他們的N3E工藝，將進一步擴展他們的3nm工藝家族，性能、功耗和良品率將進一步提升，計劃在3nm工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)。

　　在3nm制程工藝上，臺積電和三星電子是不同的路線。三星電子的3nm制程工藝，率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，臺積電則是繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。

　　原標(biāo)題：臺積電CEO稱3nm工藝量產(chǎn)正按計劃推進第二代1年后量產(chǎn)

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