三星研發(fā)HBM3內(nèi)存帶寬輕松突破1024GB/s

2022-06-02 10:51:30來源：快科技關鍵詞：HBM3內(nèi)存內(nèi)存芯片閱讀量：20651

導讀：三星已經(jīng)研發(fā)了新的HBM3內(nèi)存，帶寬輕松超過1024GB/s。

　　

　　AMD及Intel的新一代平臺已經(jīng)支持了DDR5內(nèi)存，雙通道的帶寬輕松超過50GB/s，高頻版的逐漸逼近100GB/s，然而這個性能跟HBM3內(nèi)存比起來還是小巫見大巫，三星已經(jīng)研發(fā)了新的HBM3內(nèi)存，帶寬輕松超過1024GB/s。

　　JEDEC組織今年初發(fā)布了HBM3的標準，繼續(xù)在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級，其中傳輸數(shù)據(jù)率在HBM2基礎上再次翻番，每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達819GB/s。

　　三星研發(fā)的新一代HBM3內(nèi)存陣腳速率更高，達到了8Gbps/pin，堆棧4顆的情況下帶寬輕松達到1024GB/s，是DDR5內(nèi)存的十幾倍。

　　另外，頻率越高的話出錯也更多，為此三星還有更強的內(nèi)存糾錯功能，每個HBM內(nèi)存芯片都內(nèi)置了1組ECC糾錯電路，確保數(shù)據(jù)準確性。

　　三星的HBM3內(nèi)存沒有公布何時上市，不過真要應用的話應該也會首先用于數(shù)據(jù)中心顯卡及處理器上，消費級平臺使用的可能性不大，畢竟HBM3的成本是普通用戶無法承受的。

　　原標題：三星研發(fā)HBM3內(nèi)存帶寬輕松突破1024GB/s

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