ASML介紹新一代高NA EUV光刻機(jī)：芯片縮小1.7倍、密度增加2.9倍

2021-12-14 09:13:45來源：快科技關(guān)鍵詞：光刻機(jī)半導(dǎo)體閱讀量：20601

導(dǎo)讀：ASML發(fā)言人向媒體介紹，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時(shí)密度增加2.9倍。未來比3nm更先進(jìn)的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。

　　按照業(yè)內(nèi)預(yù)判，2025年前后半導(dǎo)體在微縮層面將進(jìn)入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，其中2025對(duì)應(yīng)A14(14?=1.4納米)。

　　除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)。根據(jù)ASML(阿斯麥)透露的最新信息，第一臺(tái)原型試做機(jī)2023年開放，預(yù)計(jì)由imec(比利時(shí)微電子研究中心)裝機(jī)，2025年后量產(chǎn)，第一臺(tái)預(yù)計(jì)交付Intel。

　　Gartner分析師Alan Priestley稱，0.55NA下一代EUV光刻機(jī)單價(jià)將翻番到3億美元。

　　那么這么貴的機(jī)器，到底能實(shí)現(xiàn)什么呢？

　　ASML發(fā)言人向媒體介紹，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時(shí)密度增加2.9倍。未來比3nm更先進(jìn)的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。

　　當(dāng)然，ASML并不能獨(dú)立做出高NA EUV光刻機(jī)，還需要德國蔡司以及日本光刻膠涂布等重要廠商的支持。

　　ASML現(xiàn)售的0.33NA EUV光刻機(jī)擁有超10萬零件，需要40個(gè)海運(yùn)集裝箱或者4架噴氣貨機(jī)才能一次性運(yùn)輸完成，單價(jià)1.4億美元左右。

　　去年ASML僅僅賣了31臺(tái)EUV光刻機(jī)，今年數(shù)量提升到超100臺(tái)。

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