三星完成8nm射頻技術(shù)開發(fā)：面積減少35%下功率增加35%

2021-06-09 16:11:35來源：cnBeta 關(guān)鍵詞：射頻技術(shù)芯片制造工藝閱讀量：20883

導(dǎo)讀：為了克服模擬以及射頻擴(kuò)展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種8納米射頻專用的獨特架構(gòu)。

　　三星電子有限公司今天宣布完成了基于8納米生產(chǎn)工藝的射頻(RF)技術(shù)的開發(fā)。這項前沿的代工技術(shù)有望提供“一個芯片解決方案”，尤其是通過支持多通道和多天線芯片設(shè)計增強5G網(wǎng)絡(luò)通信。這項8納米射頻平臺的推出將會進(jìn)一步鞏固三星在5G半導(dǎo)體市場的重要地位。

　　三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對已廣泛應(yīng)用的射頻相關(guān)解決方案組合(包括28納米和14納米的射頻)的新補充。自2017年以來，該公司通過為高端智能手機出貨超過5億顆移動射頻芯片，確立了其在射頻市場的前沿地位。

　　三星電子代工技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊主管Hyung Jin Lee表示：“通過前沿的創(chuàng)新和工藝制造，我們已經(jīng)加強了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。隨著5G mmWave的擴(kuò)大，三星的8納米射頻將成為在緊湊型移動設(shè)備上尋求長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶的較佳解決方案”。

　　隨著持續(xù)擴(kuò)展到節(jié)點，數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面有了明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線寬帶來的電阻增加。因此，大多數(shù)通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。

　　為了克服模擬/射頻擴(kuò)展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種8納米射頻專用的獨特架構(gòu)，名為 RFextremeFET(RFeFET)，可以在使用更少的功率的同時顯著改善射頻特性。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補充了數(shù)字PPA的擴(kuò)展，同時恢復(fù)了模擬/射頻的擴(kuò)展，從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。

　　三星的工藝優(yōu)化較大限度地提高了通道流動性，同時較大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能得到一定改善，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以減少。

　　與14納米的射頻技術(shù)相比，由于RFeFET架構(gòu)的創(chuàng)新，三星的8納米射頻工藝技術(shù)在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高35%。

　　(原標(biāo)題：三星完成8nm射頻技術(shù)開發(fā)：面積減少35%下功率增加35%)

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