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      正在閱讀:ASML未來四代EUV光刻機進度披露:正向1nm邁進

      ASML未來四代EUV光刻機進度披露:正向1nm邁進

      2021-03-19 09:24:58來源:快科技 關鍵詞:EUV光刻機半導體設備閱讀量:25030

      導讀:預計今年年底前,NXE:3600D將開始交付,30mJ/cm2下的晶圓通量是160片,比3400C提高了18%,機器匹配套準精度也增加了,它預計會是未來臺積電、三星3nm制程的主要依托。
        日前,ASML產品營銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機的新進展。
       
        ASML現(xiàn)在主力出貨的EUV光刻機分別是NXE:3400B和3400C,它們的數(shù)值孔徑(NA)均為0.33,日期更近的3400C目前的可用性已經達到90%左右。
       
        預計今年年底前,NXE:3600D將開始交付,30mJ/cm2下的晶圓通量是160片,比3400C提高了18%,機器匹配套準精度也增加了,它預計會是未來臺積電、三星3nm制程的主要依托。
       
        在3600D之后,ASML規(guī)劃的三代光刻機分別是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中從EXE:5000開始,數(shù)值孔徑提高到0.55,但要等待2022年晚些時候發(fā)貨了。
       
        由于光刻機從發(fā)貨到配置/培訓完成需要長達兩年時間,0.55NA的大規(guī)模應用要等到2025~2026年了,服務的應該是臺積電2nm甚至1nm等工藝。
       
        0.55NA比0.33NA有著太多優(yōu)勢,包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產效率等。
       
        當然,硅片、曝光潔凈室逼近物理極限,也是不容小覷的挑戰(zhàn)?,F(xiàn)今5nm/7nm光刻機已然需要10萬+零件、40個集裝箱,而1nm時代光刻機要比3nm還大一倍左右,可想而知了。
       
        (原標題:ASML未來四代EUV光刻機進度披露:正向1nm邁進)
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