CJK-3Z 觸頭強(qiáng)密封防爆磁性接近開(kāi)關(guān)
CJK-3Z,強(qiáng)密封防爆磁性接近開(kāi)關(guān),磁性開(kāi)關(guān)產(chǎn)品特點(diǎn),磁性接近開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景,磁感應(yīng)開(kāi)關(guān)參數(shù)功能豐富 實(shí)時(shí)交流
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3/5nm肯定得不到!華為高管談我國(guó)芯片技術(shù):解決7nm就非常非常好了
華為常務(wù)董事張平安表示,中國(guó)創(chuàng)新的方向就必須要依托于我們芯片能力的方向,我們的創(chuàng)新方向不能在單點(diǎn)的芯片工藝上,我們的創(chuàng)新方向應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上。《特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平評(píng)價(jià)方法》征求意見(jiàn)
日前,中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院,聯(lián)合南京低功耗芯片技術(shù)研究院有限公司等多家單位起草編制了《特定場(chǎng)景下的微控制器低功耗水平評(píng)價(jià)方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿,并于近日公開(kāi)征求意見(jiàn)。各國(guó)芯片技術(shù)迎來(lái)新變革 國(guó)產(chǎn)替代步伐不斷提速
越來(lái)越多國(guó)家加快研發(fā)全新的芯片制造技術(shù)、光刻機(jī)技術(shù),推動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)替代,著力擺脫芯片面臨著被“卡脖子”的困境。對(duì)于我國(guó),光刻機(jī)一項(xiàng)核心技術(shù)現(xiàn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)重大突破,這一突破,有望在芯片制造技術(shù)上打破荷蘭的壟斷!手機(jī)續(xù)航2周 IBM三星開(kāi)發(fā)VTFET芯片技術(shù):性能提升200%
IBM、三星等公司上半年公布了全球首個(gè)2nm工藝芯片,現(xiàn)在雙方又在IEDM 2021會(huì)議上宣布了最新的合作成果,推出了VTFET(垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)。英迪芯微致力于打造國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)芯片,助車(chē)企緩解供貨壓力
在全球“缺芯潮”中,以汽車(chē)、MCU領(lǐng)域的芯片十分緊缺,相較于消費(fèi)級(jí)芯片,車(chē)規(guī)級(jí)芯片對(duì)安全性和可靠性的要求更高,芯片開(kāi)發(fā)及認(rèn)證周期也更長(zhǎng),導(dǎo)致汽車(chē)芯片的需求更難得到滿足。量產(chǎn)已10年 臺(tái)積電28nm工藝依然火爆:貢獻(xiàn)11%營(yíng)收
要知道,臺(tái)積電從2010年開(kāi)始導(dǎo)入28nm工藝,AMD的HD 7970在2010年底,不過(guò)28nm真正量產(chǎn)要到2011年了,算起來(lái)迄今10年時(shí)間了。凡本站注明“來(lái)源:智能制造網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-智能制造網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本站授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來(lái)源:智能制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本站將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
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